[비즈니스포스트] 한화세미텍이 반도체 패키징 핵심 장비인 2세대 하이브리드본더 개발에 성공했다. 

한화세미텍은 2022년 1세대 하이브리드본더 개발 이후 4년 만에 2세대를 선보이게 됐다고 25일 밝혔다. 
 
하이브리드본더는 칩과 칩을 구리 표면에 직접 접합하는 기술이 가능한 장비로, 16~20단의 고적층 고대역폭메모리(HBM)도 얇은 두께로 제조 가능하다.

칩과 칩 사이 범프(납과 같은 전도성 돌기)가 없어 기존 제품 대비 데이터 전송 속도가 빠르고 전력 소모도 적다.

이번에 개발에 성공한 'SHB2 Nano' 장비는 위치 오차범위 0.1마이크로미터(μm) 단위의 초정밀 정렬 기술이 적용됐다고 한화세미텍 측은 설명했다. 0.1마이크로미터(μm)는 머리카락 굵기의 약 1000분의1 수준이다.

한화세미텍은 올해 상반기 2세대 하이브리드본더를 고객사에 인도해 성능 테스트를 진행한다.

한화세미텍 측은 "첨단 기술 개발에 대한 지속적 투자로 하이브리드본딩의 기술적 난제를 풀고 마침내 제품을 시장의 본궤도에 올릴 수 있게 됐다"며 "이번 신기술 개발로 첨단 패키징 시장을 선도할 수 있는 또 다른 발판을 마련했다"고 말했다.

한화세미텍은 차세대 HBM 장비 시장을 선점하기 위해 1세대에 이어 2세대 '와이드 열압착(TC) 본더'도 개발하고 있다. 해당 제품은 올해 안으로 출시할 것이라고 회사 측은 설명했다. 강서원 기자