[비즈니스포스트] 중국 최대 D램 제조사인 창신메모리(CXMT)가 2년 내 글로벌 고대역폭메모리(HBM) 점유율 10%대에 진입할 것이란 전망이 나오고 있다.

CXMT는 이미 세계 범용 D램 생산량의 10%를 차지하고 있는데, HBM에서도 삼성전자와 SK하이닉스를 바짝 뒤쫓으며 점유율을 확대할 가능성이 커지고 있는 것이다.

CXMT와 국내 기업의 HBM 기술 격차는 현재 4~5년 수준으로 평가되고 있는데, CXMT가 계획대로 HBM3E(5세대), HBM4(6세대) 개발에 성공한다면 격차는 2~3년 수준으로 좁혀질 수 있다.

25일 반도체 업계 취재를 종합하면 지난 7월27일 상하이증권거래소 커촹반에 상장한 CXMT가 상장으로 조달한 자금 666억 위안(약 13조7천만 원)을 바탕으로 HBM 설비투자에 속도를 낼 것으로 예상된다.

미국 투자은행 골드만삭스는 최근 보고서를 통해 CXMT의 HBM 공급량이 2026년~2028년 연평균 207% 증가할 것이란 전망을 내놓았다.

같은 기간 삼성전자의 연평균 HBM 증가율 예상치가 52%, SK하이닉스가 37%인 것을 고려하면 CXMT의 성장세가 폭발적일 것이란 분석이다. 2028년 CXMT의 HBM 생산량은 삼성전자의 3분의 1 수준에 이를 것으로 예상됐다.

CXMT의 HBM 시장 점유율이 2028년에는 10%를 넘어설 것이란 분석도 나온다.

반도체 시장조사업체 세미애널리시스는 CXMT의 HBM 생산능력이 2027년 웨이퍼 기준 월 5만5천 장, 2028년 월 10만 장 규모까지 늘어나, HBM 점유율이 2025년 1%에서 2028년 12%로 상승할 것으로 내다봤다.

CXMT가 당장 기술 난이도가 낮고 수익성이 높은 범용 D램보다 인공지능(AI) 반도체에 필수적인 HBM 생산 확대에 더 집중하는 것은 중국 정부의 정책 기조에 따른 것으로 파악된다.

중국 정부는 AI 산업 경쟁력 강화를 국가 차원의 핵심 과제로 삼고 있지만, 미국의 수출 통제로 HBM 수급이 어려워지면서 'HBM 자급화'에 집중하고 있는 것으로 보인다.

레이 왕 세미애널리시스 연구원은 "미국이 중국을 향한 반도체 수출 통제를 시행하면서, CXMT는 HBM 공급이 제한된 시장을 장악할 수 있는 기회를 얻었다"며 "CXMT의 HBM 기술이 경쟁사 대비 꽤 뒤처져 있음에도, 그들은 여전히 일부 HBM을 출하할 수 있고 앞으로 몇 년 동안 기술을 지속적으로 개선할 수 있을 것"이라고 말했다.
  현재 HBM 시장은 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 3개 업체가 사실상 과점 체제를 형성하고 있다.

시장조사업체 카운트포인트리서치에 따르면 2026년 1분기 기준 SK하이닉스가 HBM 시장에서 58%의 점유율을 기록했으며, 삼성전자와 마이크론이 각각 점유율 21%로 뒤를 이었다.

삼성전자와 SK하이닉스는 이와 같은 과점 체제를 바탕으로 엔비디아 등 빅테크와의 HBM 공급 협상에서 우위를 점하며, 판매단가를 지속적으로 높여왔다. 2027년 HBM4 가격도 올해보다 50~60% 인상할 것으로 예상되고 있다.

하지만 CXMT가 HBM 생산량을 빠르게 늘려 기존 메모리 업체들의 과점 구조를 흔들 경우, 국내 메모리 기업들의 가격 결정력이 약화될 수 있다.

범용 D램 시장에서도 CXMT의 성장세는 가팔라지고 있다.

일본 노무라증권은 중국 내 D램 수요 확대와 자급률 상승을 배경으로 CXMT의 글로벌 D램 시장 점유율이 현재 약 10%에서 2028년 말에는 18%까지 상승할 것으로 보고 있다.

도니 텅 노무라증권 연구원은 "향후 수년 동안 글로벌 메모리 공급 부족이 쉽게 해소되지 않을 것으로 예상되는 만큼, CXMT의 점유율 확대 속도는 더욱 빨라질 것"이라며 "CXMT의 메모리 생산량은 2030년까지 매년 40~45%씩 성장할 것"이라고 내다봤다.

현재 CXMT와 국내 반도체 기업의 기술 격차는 HBM이 4~5년, 범용 D램이 3년 수준으로 평가되고 있다.

CXMT는 아직까지 HBM3(4세대) 8단 생산에 머물러 있으며, HBM3 12단 생산에도 어려움을 겪고 있는 것으로 알려져 있다. 올해 HBM4(6세대)를 양산하기 시작한 삼성전자, SK하이닉스와 2세대 수준의 기술 격차가 존재하는 것이다.

하지만 CXMT가 계획대로 2027년 HBM3E(5세대), 2028년~2029년 HBM4 양산에 진입한다면, HBM 기술 격차는 2~3년 수준으로 좁혀지게 된다.

다만 일각에서는 미국의 수출 규제로 극자외선(EUV) 노광장비를 확보하지 못한 상황에서 HBM4를 개발하기는 어려울 것이란 분석도 나온다.

CXMT는 현재 EUV 장비 없이 심자외선(DUV) 기반 공정으로 D램과 HBM 개발을 이어가고 있다.

강민희 미래에셋투자증권 연구원은 보고서에서 "CXMT의 HBM 수율(완성품 비율)은 아직까지 낮은 수준"이라며 "EUV 장비를 사용하지 못하는 공정의 한계로 HBM4 진입에는 제약적이기 때문에 DUV 멀티패터닝 공정 성숙도를 높이는 것이 급선무"라고 말했다. 나병현 기자