김디모데 기자 Timothy@businesspost.co.kr2021-01-29 12:21:52
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SK하이닉스가 신중한 투자를 계획하면서도 시장 주도권을 잃지 않겠다는 의지를 보였다.
주력사업인 D램부문에서 차세대 제품 양산에 속도를 내는 것은 물론 낸드 수익성 개선과 파운드리(반도체 위탁생산) 중국 이전 가속 등 비주력사업 경쟁력도 더욱 강화하기로 했다.
▲ 이석희 SK하이닉스 대표이사 사장.
SK하이닉스는 29일 열린 2020년 4분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 앞으로 메모리반도체 수요가 늘어날 것으로 예상하면서도 설비투자는 보수적으로 집행하겠다는 방침을 밝혔다.
SK하이닉스는 “코로나19로 형성된 비대면추세는 코로나19가 끝나더라도 쉽게 돌아가지 않을 것이다”며 “메모리반도체 수요를 성장시키는 동력으로 작용해 올해 사업성과가 전년보다 개선될 것으로 예상한다”고 말했다.
그러나 신중한 투자정책을 유지하겠다는 방침을 내놨다.
SK하이닉스는 “작년보다 조금 늘겠지만 보수적 투자가 이뤄질 것이다”고 예고했다. SK하이닉스는 2020년 9조9천억 원을 설비투자에 사용했는데 2021년에는 10조 원대 투자를 집행할 것으로 전망된다.
SK하이닉스는 차세대 D램을 생산하게 될 이천 M16 공장을 2월1일 준공한다고 밝혔다. 시험생산을 마치는 6월부터 본격적으로 양산에 나서고 양산계획은 연말까지 시장 상황을 보면서 탄력적으로 조정하기로 했다.
차세대 D램 생산에는 미세공정에 필수로 사용되는 극자외선(EUV) 장비가 도입될 것으로 보인다. SK하이닉스는 이미 극자외선 장비를 확보했고 향후 확보 방안도 장비업체와 긴밀하게 협의하고 있다고 설명했다.
극자외선 장비는 이전 세대보다 생산효율이 40%가량 개선된 10나노급 4세대(1α) D램 생산에 처음으로 사용하고 10나노급 5세대(1β) D램부터 본격적으로 적용한다는 계획을 세웠다.
SK하이닉스는 2020년 D램 생산에서 첨단제품인 10나노급 2세대(1y)와 3세대(1z) 비중이 40%에 근접했다며 2021년 말까지 75% 이상으로 비중을 늘리겠다고 했다. 2021년 안에 10나노급 4세대 D램 생산도 시작한다.
SK하이닉스는 “최근 D램 업체 사이의 기술경쟁력 격차가 좁아지고 있어 안정적 양산 전개속도가 중요하다”며 기술리더십을 주도하겠다는 의지를 보였다.
낸드 역시 128단 제품 비중을 2020년 30%에서 2021년 상반기 안에 50% 이상으로 끌어올린다. 128단보다 생산성이 35% 늘어난 176단 낸드도 2021년 안에 양산에 들어간다.
SK하이닉스는 인텔 낸드사업 인수로 일시적 비용 증가 부담이 있지만 2021년 안에 낸드사업 실적을 끌어올리겠다는 의지를 나타냈다.
SK하이닉스는 “낸드사업은 후발주자로 3D낸드 전환이 어려웠던 것이 사실이지만 128단 양산은 경쟁사보다 앞섰다”며 “이제 원가 경쟁력에 집중해 연내 반등을 위해 노력하겠다”고 말했다.
최근 공급 부족이 심화하고 있는 파운드리(반도체 위탁생산)와 관련해서는 당분간 호황이 지속할 것으로 전망했다.
SK하이닉스는 “원가를 절감할 수 있는 중국으로 8인치 파운드리 설비를 이전해 설치하고 있다”며 “2년에 걸쳐 이설하려고 했으나 고객 수요에 대응하기 위해 빠른 시일 안에 마무리하겠다”고 말했다.
SK하이닉스는 청주 M8 공장에 10만~12만 장 규모의 8인치 파운드리 생산능력을 보유했는데 중국 우시로 공장을 옮기고 있다. 이 외에도 2020년 간접투자한 키파운드리(옛 매그나칩반도체 파운드리사업부)의 활용방안도 다양하게 검토하고 있는 것으로 파악된다. [비즈니스포스트 김디모데 기자]