[비즈니스포스트] SK하이닉스가 차세대 본딩 장비를 도입해 20단 이상의 고대역폭메모리(HBM) 생산에 나설 것으로 보인다.

6일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI) 그래픽처리장치(GPU) 공급 주기에 맞춰 2029~2030년 무렵 하이브리드 본딩 기술을 적용한 8세대 고대역폭메모리(HBM5)를 출시할 것으로 전망됐다.

카운터포인트 측은 열압착 본더(TCB)로 마이크로 범프(돌기)를 눌러 최대 16단의 D램을 쌓는 현재 HBM 생산 방식은 신호 전달과 전력 효율, 발열 측면에서 병목이 생긴다고 분석했다.

마이크로 범프란 반도체 칩 사이를 연결하기 위해 사용하는 초미세 금속 접점을 뜻한다.

D램 적층 단수가 20단 이상으로 늘어나면서, 하이브리드 본딩 방식의 새로운 적층 기술 도입이 필요해지고 있다.

하이브리드 본딩 기술은 다이 사이의 간격을 좁힘으로써, 적층 높이를 줄이고 더 높은 대역폭과 전력 효율을 제공한다.

또한 기존 열압착 방식보다 CMP(표면 평탄화 공정)의 중요도가 높아, 미세한 불균일 없이 초평탄 수준의 표면 구현이 가능하다. 

SK하이닉스를 비롯한 주요 메모리 기업들은 차세대 AI 수요에 대응하기 위해 하이브리드 본딩 도입을 적극 추진하고 있는 것으로 파악된다.

엔비디아의 AI 연산 작업량은 더 높은 대역폭과 효율성을 요구하고 있어, 메모리 공급 업체들의 하이브리드 본딩 기술 도입은 불가피할 것으로 예상된다.

SK하이닉스는 차세대 AI GPU 사이클에 맞춰 2029~2030년 HBM5를 출시할 것으로 예상된다. 이 시점을 기점으로 하이브리드 본딩 기술이 본격적인 양산에 활용될 것으로 분석된다.

카운터포인트 측은 "SK하이닉스는 전공정과 후공정 본딩 기술을 연계한 통합 솔루션을 선제적으로 도입해 고품질의 HBM 생산이 가능할 것"이라며 "하이브리드 본딩 적용을 통해 첨단 반도체 양산 과정의 안정성과 일관성을 확보할 수 있을 것"이라고 전망했다. 강서원 기자