[비즈니스포스트] SK하이닉스가 D램 분야에서 역대 처음으로 삼성전자보다 앞서 초미세 나노 공정의 D램을 개발했다.

SK하이닉스는 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16기가바이트(GB) DDR5 D램 개발에 성공했다고 29일 밝혔다.

이번에 개발한 ‘1c DDR5’는 연내 양산 준비를 마치고 내년부터 제품 공급에 돌입한다.

SK하이닉스가 최선단 D램 공정 개발에서 삼성전자를 앞선 것은 이번이 처음이다. 5세대인 10나노 1b 공정은 2023년 5월 삼성전자가 SK하이닉스보다 열흘 먼저 양산을 발표했다. 

이번 SK하이닉스 10나노급 6세대 1c 공정 DDR5 D램 개발에 대해 삼성전자 측은 경쟁사가 먼저 개발한 것은 맞지만 양산은 다른 문제라며, 양산에선 앞설 수 있다고 주장했다.

고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 또 전력효율은 9% 이상 개선됐다.

SK하이닉스는 클라우드 서비스를 운영하는 고객사들이 해당 D램을 통해 전력 비용을 최대 30% 줄일 수 있을 것으로 기대한다고 말했다.

D램 개발과 관련해 SK하이닉스는 “10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌다”며 “5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술한계를 돌파해냈다”고 설명했다.

1c DDR5는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 개발됐다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생하는 시행착오를 줄였고, 1b D램의 강점을 1c로 옮겼다.

또 첨단 자외선 반도체 인쇄 기술(EUV) 공정에 신소재 개발을 적용해 원가 경쟁력도 확보했다. 설계 기술도 혁신해 이전 세대와 비교해 생산성을 30% 이상 높였다고 회사 측은 설명했다.

김종환 SK하이닉스 부사장은 “최고의 성능과 원가 경쟁력을 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM, LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용할 것”이라며 “D램 시장 리더십을 지키면서 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다”고 말했다. 김호현 기자