[비즈니스포스트] 대만 TSMC가 2나노 반도체를 생산할 공장 건설 준비를 마쳤으며 2025년부터 공장을 가동할 것으로 보인다.

대만 중앙통신(CNA)은 12일 “TSMC의 2나노 공장은 ​신주과학단지 바오산 2기 부지에 위치하게 된다”며 “신주과학단지 관리국은 이미 공장 확장에 관련한 허가를 내줬으며 TSMC는 공장 건설을 위한 부지를 준비하고 있다”고 보도했다.
 

TSMC의 2나노 공정은 처음으로 게이트올어라운드(GAA) 공정을 적용해 3나노(N3E)보다 전력 효율이 10~15% 상승하고 에너지 소모는 25~30% 개선될 것으로 예상된다.

게이트올어라운드는 트랜지스터의 채널과 게이트가 4면에서 맞닿게 하는 기술이다. 채널과 게이트 접촉면이 3면에 그치는 기존 ‘핀펫(FinFET)’ 방식보다 반도체가 동작하는 전압을 낮추고 성능을 개선할 수 있다.

웨이저자 TSMC CEO(최고경영자)는 최근 한 기술포럼에서 “TSMC의 2나노 반도체는 가장 우수하고 효율이 뛰어난 기술이 될 것”이라고 강조했다.

삼성전자도 2025년 2나노 공정에 들어간다는 계획을 세우고 있다.

삼성전자는 TSMC와 달리 3나노 공정부터 게이트올어라운드 방식을 적용한 만큼 2나노 경쟁에서 다소 유리한 측면이 있을 것으로 기대되고 있다.

미국 인텔도 2나노 경쟁에 뛰어든다.

인텔은 2018년 7나노를 포기하며 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에서 철수했다. 하지만 인텔 CEO로 복귀한 팻 겔싱어가 2021년 파운드리 사업 재진출을 선언하며 경영 전략을 완전히 변경했다. 

인텔은 3나노 공정을 건너뛰고 2나노(인텔 20A)와 1.8나노(인텔 18A) 공정을 각각 2024년 초, 2024년 하반기부터 시작해 삼성전자와 TSMC를 따라잡겠다는 의지를 보이고 있다.

해외 IT매체 하드웨어타임스는 “가능성은 낮아 보이지만 인텔이 로드맵을 이행할 수 있다면 경쟁사보다 1년 앞서 2나노를 양산해 반도체 리더십을 되찾을 수 있을 것”이라고 예상했다.  나병현 기자