[비즈니스포스트] 세계 최대 반도체 파운드리 업체인 대만 TSMC가 2024년부터 네덜란드 장비업체 ASML의 차세대 극외자선(EUV) 노광장비 ‘하이NA(하이뉴메리컬어퍼처) EUV’를 도입할 계획을 세우고 있다.

그러나 TSMC의 신형 EUV장비는 2025년 도입되는 2나노 미세공정 반도체 양산이 아닌 2027년 상용화되는 1.4나노 공정 연구개발에 쓰일 것으로 전망된다.

21일 대만 연합보에 따르면 미위졔 TSMC 연구개발 부사장은 “하이NA EUV는 2025년 2나노 반도체 양산에 사용하는 대신 올해 8월에 구성하는 1.4나노 반도체 연구개발 팀이 사용하게 될 것으로 파악됐다"고 말했다.

TSMC는 최근 반도체 기술포럼을 통해 ASML의 하이NA EUV장비 도입 계획을 발표했다.

장비 반입은 이르면 2024년으로 예정돼 있지만 이를 실제 반도체 생산에 사용하는 시점은 2027년이 될 것이라는 의미다.

연합보에 따르면 다른 TSMC 공급망 관계자도 “TSMC가 ASML의 차세대 EUV 노광장비를 정식으로 사용하는 시점은 이르면 2027년으로 이 때부터 1.4나노 반도체 양산에 도입할 것으로 본다”고 말했다.

해당 관계자는 TSMC가 2나노 반도체 미세공정을 통해 인텔을 따돌리고 삼성전자를 견제하는 목표도 동시에 진행할 것으로 본다고 말했다.

TSMC는 고가의 차세대 EUV 노광장비 사용 효율을 높이기 위해 장비의 주력 생산 제품이 될 옹스트롬 단위 반도체 미세공정 경쟁력을 먼저 확보하는 데 집중할 것으로 예상됐다.

비교적 이른 시일에 도입되는 3나노와 2나노 반도체 공정보다 회로폭이 더 좁아지는 1.8나노, 1.4나노 등 옹스트롬 단위의 기술에 하이NA 장비를 도입하는 일이 더 효율적이라고 판단했다는 의미다.

미위졔 부사장은 “하이NA EUV는 TSMC가 옹스트롬 시대에 진입하기 위한 선제적 준비 단계가 될 것이라는 결론이 나왔다”고 말했다.

장샤오창 TSMC 사업개발 부사장도 연합보를 통해 “2024년에 차세대 EUV장비를 도입하지만 이를 바로 생산에 투입하지 않는다”며 “1.4나노 반도체를 포함한 옹스트롬 단위 반도체 연구개발과 생산을 위해 사용할 것으로 본다”고 전망했다. 노녕 기자