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삼성전자 대표 김기남, 주총에서 “D램과 낸드 다 압도적 격차 확대”

임한솔 기자 limhs@businesspost.co.kr
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김기남 삼성전자 DS부문 대표이사 부회장이 메모리반도체분야에서 여전히 시장 지배력을 유지하고 있다고 자신감을 보였다.

김 부회장은 17일 열린 삼성전자 제52기 정기 주주총회에서 다른 메모리반도체기업과 시장 점유율 차이가 줄어들고 있다는 주주 질문에 관해 “시장 점유율은 시기나 조사기관에 따라 다소 차이가 있을 수 있다”며 “D램과 낸드 모두 압도적 시장 지배력, 기술 리더십을 통해 지속적으로 격차를 확대하고 있다”고 밝혔다.
 
삼성전자 대표 김기남, 주총에서 “D램과 낸드 다 압도적 격차 확대”
▲ 김기남 삼성전자 DS부문 대표이사 부회장이 17일 열린 삼성전자 주주총회에 참석해 말하고 있다. <삼성전자>

다른 주주는 “마이크론에 역전당해 기술격차가 줄었는데 어떤 대책이 있느냐”고 물었다. 

삼성전자가 메모리반도체의 한 종류인 낸드플래시분야에서 경쟁사에 뒤처지는 듯한 모습을 보이는 점을 지적한 것으로 보인다. 

낸드는 기본 저장단위인 셀을 높이 쌓을수록 저장공간 등 성능이 개선된다. 마이크론은 지난해 11월 업계 최초로 176단 낸드플래시를 양산했고 SK하이닉스도 뒤이어 176단 낸드를 개발했다고 밝혔다. 반면 삼성전자는 비슷한 수준의 반도체 양산 여부를 공개하지 않고 있다.

김 부회장은 이를 두고 “단품 낸드만 중요한 것이 아니고 단품 낸드를 활용할 수 있는 솔루션기술, 고객 수요에 최적화한 제품을 적기에 공급하는 능력이 중요하다”며 “삼성전자는 이런 분야에서 다른 회사보다 경쟁력이 있다”고 대답했다.

김 부회장은 이날 DS부문 사업현황을 소개하며 지난해 삼성전자 반도체사업이 코로나19 사태에도 불구하고 실적을 상당히 개선했다고 내걸었다.

올해는 메모리반도체 쪽에서 차세대 10나노급 D램과 7세대 수직적층 낸드(V낸드) 등 첨단 제품을 개발해 데이터센터, 고성능컴퓨팅 등 고성장 시장을 선점하겠다는 계획을 세웠다.

파운드리(반도체 위탁생산)사업은 2세대 5나노급 공정에 이어 3세대 5나노급 공정 양산에 들어가는 한편 차세대 트랜지스터 구조 게이트올어라운드(GAA)를 기반으로 3나노급 이하 초미세공정 리더십을 강화하기로 했다.

시스템LSI(시스템반도체 설계)에서는 5G기술과 이미지센서에 주력하고 디스플레이부문은 퀀텀닷(QD)디스플레이를 적기에 개발해 프리미엄 제품군에서 자리매김한다는 방침을 내놨다. [비즈니스포스트 임한솔 기자]

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