임한솔 기자 limhs@businesspost.co.kr2021-03-17 15:16:27
확대축소
공유하기
김기남 삼성전자 DS부문 대표이사 부회장이 메모리반도체분야에서 여전히 시장 지배력을 유지하고 있다고 자신감을 보였다.
김 부회장은 17일 열린 삼성전자 제52기 정기 주주총회에서 다른 메모리반도체기업과 시장 점유율 차이가 줄어들고 있다는 주주 질문에 관해 “시장 점유율은 시기나 조사기관에 따라 다소 차이가 있을 수 있다”며 “D램과 낸드 모두 압도적 시장 지배력, 기술 리더십을 통해 지속적으로 격차를 확대하고 있다”고 밝혔다.
▲ 김기남 삼성전자 DS부문 대표이사 부회장이 17일 열린 삼성전자 주주총회에 참석해 말하고 있다. <삼성전자>
다른 주주는 “마이크론에 역전당해 기술격차가 줄었는데 어떤 대책이 있느냐”고 물었다.
삼성전자가 메모리반도체의 한 종류인 낸드플래시분야에서 경쟁사에 뒤처지는 듯한 모습을 보이는 점을 지적한 것으로 보인다.
낸드는 기본 저장단위인 셀을 높이 쌓을수록 저장공간 등 성능이 개선된다. 마이크론은 지난해 11월 업계 최초로 176단 낸드플래시를 양산했고 SK하이닉스도 뒤이어 176단 낸드를 개발했다고 밝혔다. 반면 삼성전자는 비슷한 수준의 반도체 양산 여부를 공개하지 않고 있다.
김 부회장은 이를 두고 “단품 낸드만 중요한 것이 아니고 단품 낸드를 활용할 수 있는 솔루션기술, 고객 수요에 최적화한 제품을 적기에 공급하는 능력이 중요하다”며 “삼성전자는 이런 분야에서 다른 회사보다 경쟁력이 있다”고 대답했다.
김 부회장은 이날 DS부문 사업현황을 소개하며 지난해 삼성전자 반도체사업이 코로나19 사태에도 불구하고 실적을 상당히 개선했다고 내걸었다.
올해는 메모리반도체 쪽에서 차세대 10나노급 D램과 7세대 수직적층 낸드(V낸드) 등 첨단 제품을 개발해 데이터센터, 고성능컴퓨팅 등 고성장 시장을 선점하겠다는 계획을 세웠다.
파운드리(반도체 위탁생산)사업은 2세대 5나노급 공정에 이어 3세대 5나노급 공정 양산에 들어가는 한편 차세대 트랜지스터 구조 게이트올어라운드(GAA)를 기반으로 3나노급 이하 초미세공정 리더십을 강화하기로 했다.