메모리반도체부품인 D램의 가격이 세계시장에서 꾸준히 하락하고 있다.

이에 따라 삼성전자와 SK하이닉스의 반도체사업 수익성에 대한 우려가 높아지고 있다.

삼성전자와 SK하이닉스는 D램 업황 악화가 장기화되면서 D램 공정기술 개발로 경쟁업체들의 진입장벽을 높여 경쟁력을 강화하며 대응하고 있다.

시장조사기관 D램익스체인지가 4일 세계시장에서 D램 주요상품인 DDR3 4기가바이트 제품 가격이 10월에만 9.5% 하락했다는 조사결과를 내놓았다.

DDR3 4기가바이트 제품의 가격은 올해 들어서만 29.5 달러에서 16.75 달러로 43.2% 떨어졌다.

D램익스체인지는 세계시장에서 경기침체가 계속되고 PC 수요도 둔화돼 D램 가격 하락세가 내년 중반까지도 계속 이어질 것이라고 전망했다.

세계시장에서 D램 수요가 부족하고 중국업체들도 점차 진출 가능성을 높이고 있어 공급과잉이 우려되는 점도 D램 업황의 향후 전망을 어둡게 하는 요인으로 꼽힌다.

삼성전자와 SK하이닉스는 세계 D램시장에서 70% 이상의 점유율을 차지하고 있어 D램 업황 악화에 가장 큰 타격을 입을 것으로 예상된다.

삼성전자와 SK하이닉스는 이에 대응해 반도체 미세공정기술 개발에 주력하며 기술경쟁력을 앞세워 경쟁업체에 맞서고 있다.

삼성전자는 올해 3분기 실적발표회에서 “삼성전자는 20나노 D램 공정기술 개발과 수율 향상에 주력하고 있다”며 “미국 마이크론 등 경쟁사가 이런 기술력 향상을 이루기는 쉽지 않을 것”이라고 밝혔다.

박성욱 SK하이닉스 사장 역시 “SK하이닉스는 20나노 공정 D램 양산을 이미 시작했다”며 “안정화 단계에 들어갔으며 고객사들에 샘플도 공급하고 있다”고 밝혔다.

삼성전자와 SK하이닉스의 20나노 공정 D램은 반도체 회로선 폭을 줄여 성능과 전력효율을 높인 제품이다. 삼성전자는 이르면 내년 초부터 차세대 공정기술인 18나노 공정도 도입할 계획을 밝혔다.

업계의 한 관계자는 “반도체기술은 진입장벽이 높은 만큼 중국업체들이 이를 따라잡기는 쉽지 않을 것”이라며 “삼성전자와 SK하이닉스가 얼마나 앞선 기술경쟁력을 확보하는지가 관건이 될 것”이라고 말했다. [비즈니스포스트 김용원 기자]