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중국 D램과 낸드 가격 경쟁력 위협적, 삼성전자 SK하이닉스 'HBM 집중' 필요성 커져

김용원 기자 one@businesspost.co.kr 2026-06-01 11:30:58
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중국 D램과 낸드 가격 경쟁력 위협적, 삼성전자 SK하이닉스 'HBM 집중' 필요성 커져
▲ 중국 CXMT와 YMTC가 소비자용 메모리반도체 시장에서 가격 경쟁을 주도해 삼성전자와 SK하이닉스에 타격을 줄 수 있다는 전망이 나왔다. 한국 반도체 기업들이 결국 고대역폭 메모리(HBM)와 같이 기술 격차를 보유한 제품에 집중해야 한다는 권고가 나온다. 중국 CXMT의 DDR5 D램 홍보용 이미지. < CXMT >
[비즈니스포스트] 중국 기업들의 D램과 낸드플래시가 글로벌 시장으로 영향력을 빠르게 확대하며 가격 경쟁을 주도해 반도체 업황 악화를 이끌 수 있다는 전망이 나온다.

삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 상위 기업들이 메모리반도체 시장 경쟁에 대비해 고대역폭 메모리(HBM)와 같은 고부가 제품에 더 집중해야 한다는 권고가 제시됐다.

투자 분석기관 트레이딩키는 1일 보고서를 통해 “중국 반도체 기업들이 대량의 D램과 낸드플래시를 시장에 공급하기 시작했다”며 “메모리반도체 가격 하락을 주도할 수 있다”고 전했다.

트레이딩키는 중국이 주도하는 반도체 가격 경쟁이 결국 “삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론에 타격을 주는 ‘블랙 스완’으로 작용할 가능성도 있다”고 덧붙였다.

블랙 스완은 전 세계 경제가 예상치 못한 사건으로 위기를 맞게 되는 현상을 뜻한다.

중국 창신메모리테크놀로지스(CXMT)의 D램이 내수시장을 넘어 글로벌 브랜드의 주류 제품에 탑재되기 시작했다는 정황이 가장 주목할 만한 위험 신호로 지목됐다.

소비자용 메모리반도체 제품 브랜드 커세어가 그동안 마이크론의 칩을 주로 사용했지만 최근 DDR5 D램 16GB 모듈에 CXMT의 칩을 대신 탑재한 제품이 등장했기 때문이다.

트레이딩키는 이를 두고 “메모리반도체 산업에서 중대한 변화가 나타나고 있다는 의미”라며 “소비자용 메모리 업체들이 비용 절감과 안정적 물량 확보를 위해 중국 기업으로 눈을 돌리고 있다”고 분석했다.

삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 인공지능(AI) 데이터서버 분야의 수요에 우선적으로 대응하고 있어 소비자용 시장에 공급할 물량이 부족하다는 점이 원인으로 꼽힌다.

결국 트레이딩키는 메모리반도체 ‘빅3’ 기업과 달리 데이터센터 공급 계약이 적고 생산 능력은 충분한 중국 반도체 기업들이 소비자 시장의 수요를 충족하는 흐름이 본격화될 것으로 내다봤다.

CXMT의 D램에 이어 중국 YMTC의 낸드플래시도 중국 이외 제조사들에서 수요를 점차 늘리고 있는 것으로 파악됐다.

트레이딩키는 결국 “중국 기업의 메모리반도체가 글로벌 시장에 본격적으로 유입되며 산업 지형에 중대한 변화로 이어질 것”이라며 “전례 없는 기회를 확보하고 있다”고 덧붙였다.
 
중국 D램과 낸드 가격 경쟁력 위협적, 삼성전자 SK하이닉스 'HBM 집중' 필요성 커져
▲ 삼성전자 HBM3E 및 HBM4 고대역폭 메모리 전시용 샘플. <연합뉴스>
중국 경쟁사들의 성장 기회가 결과적으로 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론의 시장 점유율에 실제로 악영향을 미칠 수 있다는 관측도 제시됐다.

만약 중국 업체들의 메모리반도체 생산이 늘어 가격도 하락하기 시작한다면 삼성전자와 SK하이닉스에 더 큰 위협이 될 것으로 전망됐다.

트레이딩키는 “중국 브랜드 메모리가 글로벌 경쟁사의 절반 수준 단가에 판매돼도 수익성을 유지할 수 있다면 본격적으로 시장 가격에 영향을 미칠 수 있다”고 내다봤다.

CXMT와 YMTC는 이미 중국 정부의 지원을 받아 공격적으로 설비 투자를 늘리고 있다. 규모의 경제 효과가 나타나면 단가 하락과 수익성 개선에 유리해진다.

다만 중국 반도체 기업들은 글로벌 경쟁사들과 기술 격차를 여전히 약점으로 안고 있다.

트레이딩키는 CXMT의 D램이 아직 1a(16나노급) 공정에 머무르고 있다는 점을 대표적으로 들었다. 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론의 최신 10나노급 초반의 1c 기술보다 두 세대 뒤처진 공정이다.

물론 D램 1a 공정은 HBM3 및 HBM3E 규격 고대역폭 메모리 생산에도 활용될 수 있는 기술이다.

그러나 트레이딩키는 중국의 D램 기술이 아직 HBM4 규격 메모리 기준에는 충족하지 못한다며 이러한 기술 장벽을 넘기는 아직 어렵다고 진단했다.

결국 중국 업체들이 소비자용 메모리 시장에서 점유율을 빠르게 늘리더라도 HBM과 같은 고부가 제품 시장에서는 추격에 속도를 낼 수 없다는 지적이 제기됐다.

트레이딩키는 “중국 반도체 제조사들이 첨단 메모리반도체 시장 진입에 고전하면 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론의 위상은 넘기 어렵다”고 덧붙였다.

이런 분석은 삼성전자와 SK하이닉스의 반도체 사업 전략에 시사점을 남긴다는 시각도 나온다.

현재 반도체 시장에선 HBM보다는 일반 D램과 낸드플래시의 수요 급증이 실적 및 주가 강세를 주도하고 있지만 결국 중국 경쟁사들의 추격을 방어하기 유리한 고부가 메모리반도체 중심으로 미래 성장동력을 키우는 데 힘을 실어야 한다는 것이다.

트레이딩키는 “중국 제조사들이 당분간 세계 최고 수준의 메모리반도체 기업의 시장 지배력을 흔들 수 있는 수준까지 성장하기는 쉽지 않을 것”이라고 전망했다. 김용원 기자

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댓글 (2)

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ㅇㅇ
또 추월당하고 깨지고 내려앉을뿐이다.    (2026-06-01 18:39:01)
ㅇㅇ
맨날 못추월한다 아직 멀었다 이딴 국뽕적인 인사이트로만 일관하니 중국에 석화니 기계니 메모리니 산업들 죄다 뺏기고 앉아있지. AI 동향이 지금 탈메모리 기조로 나아가고 있다는것도 주목해야할 변수인데도 언제까지고 HBM시대가 영원할것처럼 정신승리하니 패배의 역사를 반복하는것이다. 메모리는 사이클 산업이고 이 ai쪽이 새로운 수학적 프레임워크개발이나, 모델 자체의 성능을 최적화 시키는 방식으로 메모리 의존도를 얼마든지 줄일수 있는 분야라는것을 깨닫지 못하면   (2026-06-01 18:37:58)