[비즈니스포스트] 이재용 삼성전자 회장이 네덜란드 출장에서 돌아오며 반도체 미세공정 기술 경쟁력에 자신감을 보였다.

이 회장은 15일 오전 7시 경 서울 김포비즈니스항공센터를 통해 경계현 삼성전자 DS부문장 겸 대표이사 사장 등과 함께 귀국했다.

이 회장은 이번 출장성과를 묻는 질문에 “반도체가 거의 90%다”고 말했다.

삼성전자는 윤석열 대통령의 최근 네덜란드 국빈 방문을 계기로 현지 반도체 장비기업 ASML과 공동으로 1조 원을 투자해 차세대 극자외선(EUV) 노광장비 기술을 연구하는 시설을 한국에 건립하겠다고 발표한 바 있다.

이 회장은 공항에서 기자들과 만나 시종일관 밝은 표정을 보여 만족스러운 출장성과를 거둔 분위기를 전달했다.

특히 이 회장은 기자들 앞에서 경계현 사장을 격려하듯 등을 여러 번 두드리는 모습을 나타내기도 했다.

이 회장과 출장길에 동행했다가 함께 귀국한 경계현 사장은 ASML과 공동연구를 진행하는 것을 두고 “EUV는 반도체 산업에서 가장 중요한 장비 가운데 하나다”며 “반도체 전체 공급망을 놓고 볼 때 굉장히 튼튼한 우군을 확보했다”고 말했다.

경 사장은 공동연구시설 설립목적을 두고 “경기도 동탄에 공동연구소를 짓고 하이 NA EUV 노광장비를 들여와 AMSL 엔지니어와 삼성전자의 엔지니어가 같이 기술 개발을 하게 될 것이다”며 “삼성전자가 하이 NA EUV에 대한 우선권을 보유하게 될 것이다”고 말했다.
  하이 NA EUV는 첨단 반도체 노광장비인 EUV의 차세대 버전으로 현재 최첨단 공정인 3나노 이후 공정에 반드시 필요한 장비로 꼽힌다. 

ASML은 2025년부터 하이 NA EUV 장비를 양산할 것으로 예상된다.

삼성전자는 2025년 모바일 중심의 2나노 반도체 양산을 시작으로 2026년에는 고성능 컴퓨팅(HPC)에 2나노를 적용하고 2027년에는 1.4나노 반도체를 양산한다는 계획을 올해 6월 내놓은 바 있어 하이 NA EUV 장비 확보가 반드시 필요한 상황에 놓여 있다.

경계현 사장은 “장기적으로 D램이나 로직반도체(시스템 반도체)에서 하이 NA EUV를 잘 쓸 수 있는 토대를 마련하지 않았나 생각한다”고 말했다. 조장우 기자