김기남 삼성전자 반도체총괄 겸 시스템LSI사업부 사장이 삼성전자의 D램 기술력에 대해 강한 자신감을 보였다.

김 사장은 6일 서울 서초사옥에서 열린 수요 사장단회의에 들어가며 “10나노 초반대 D램 개발도 가능하겠느냐”는 기자들의 질문에 “그렇다”고 대답했다.

삼성전자는 D램 미세공정 기술을 10나노대로 끌어올렸으며 2월부터 18나노 미세공정기술을 이용한 D램양산에 돌입했다고 5일 밝혔다.

D램 등 메모리반도체는 미세공정 기술에서 앞설수록 원가를 개선할 수 있어 다른 업체들과의 경쟁에서 유리한 고지를 확보할 수 있다.

김 사장은 2월 한국반도체산업협회장 자리에서 물러날 때 퇴임사에서 “반도체 기술에 한계는 없다”며 “다만 해결방안을 찾는 데 시간이 걸릴 뿐”이라고 강조했다.

삼성전자는 SK하이닉스, 미국의 마이크론 등 경쟁 메모리반도체 회사들보다 D램 미세공정 기술에서 1~2년의 기술격차를 벌리고 있다. SK하이닉스와 마이크론은 아직 20나노대 D램 생산비중도 그리 높지 않은 것으로 알려졌다.

시장조사기관 IHS에 따르면 지난해 전세계 D램 시장점유율은 삼성전자가 45.3%, SK하이닉스가 27.7%, 마이크론이 20%를 차지했다.

삼성전자는 1992년 이후 24년 연속 D램 반도체 세계 1위 자리를 지키고 있다. [비즈니스포스트 오승훈 기자]