SK하이닉스가 극자외선(EUV)장비를 활용해 10나노미터급 4세대 D램의 양산에 들어갔다.

SK하이닉스는 7월 초 10나노급 1a 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) 저전력 모바일용 D램(LPDDR4 규격)의 양산을 시작했다고 12일 밝혔다.
 

반도체업계에서는 10나노급 D램부터 세대별로 숫자 1 뒤에 알파벳을 붙여 세대를 구분한다. 1a는 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)에 이은 4세대 기술이다.

이번 신제품은 LPDDR4 규격의 D램이 낼 수 있는 최고 속도인 4266Mbps(초당 메가비트)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품보다 전력 소비량을 20% 가량 줄였다고 SK하이닉스는 설명했다.

SK하이닉스는 4세대 기술을 적용한 모바일 D램 신제품을 하반기부터 스마트폰 제조사들에 공급한다.

SK하이닉스는 이 제품에서 처음으로 극자외선 공정을 통해 D램을 양산한다.

반도체 생산공정이 극도로 미세화하면서 반도체회사들은 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 노광 공정에 극자외선장비를 잇따라 도입하고 있다.

SK하이닉스는 신제품 양산이 생산성 향상으로 이어져 원가 경쟁력을 높이는 효과도 기대하고 있다.

4세대 D램은 이전 세대의 같은 규격 제품보다 웨이퍼 1장에서 확보할 수 있는 수량이 25%가량 늘어난다고 SK하이닉스는 설명했다.

조영만 SK하이닉스 1a D램 TF(태스크포스)장 부사장은 “이번 4세대 D램은 생산성과 원가 경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품이다”며 “극자외선 공정을 양산에 본격 적용해 최첨단기술을 선도하는 기업으로서 위상을 공고히 할 수 있을 것이다”고 말했다. [비즈니스포스트 강용규 기자]