삼성전자가 그래픽카드와 인공지능 서버 등에 탑재되는 새 고성능 메모리반도체 'HBM2E D램'을 선보였다.

21일 톰스하드웨어 등 외국 IT매체에 따르면 삼성전자는 미국 캘리포니아에서 열린 엔비디아의 그래픽반도체(GPU) 기술 콘퍼런스에서 HBM2E 규격 D램을 공개했다.
 

HBM2E D램은 삼성전자가 이전에 선보였던 HBM2 D램과 비교해 최대 용량이 2배로 늘고 구동 성능이 크게 개선된 점이 특징이다.

HBM 규격 D램은 반도체 소자를 입체로 쌓아 데이터 전송 대역폭을 높임으로써 기존 D램의 성능 한계를 극복할 수 있는 차세대 메모리반도체 기술이다.

주로 고성능 메모리가 필요한 그래픽카드와 인공지능 반도체, 서버용 반도체에 사용된다.

삼성전자의 HBM2E D램은 1초당 최대 410기가바이트의 데이터 전송 속도를 구현한다. 1세대 HBM D램과 비교해 구동속도가 2배 빨라졌다. 

한진만 삼성전자 메모리상품기획팀 전무는 "새 반도체는 차세대 서버와 인공지능, 그래픽 관련된 기기에서 업계 최고 수준의 성능을 구현할 수 있다"며 "고객사 수요에 맞춰 메모리반도체 제품군을 더욱 확장하겠다"고 말했다.

삼성전자는 HBM2 D램의 주요 고객사였던 엔비디아와 AMD에 HBM2E D램을 공급할 것으로 예상된다.

톰스하드웨어는 "HBM 규격 D램은 그동안 수요가 제한적이었지만 다양한 인공지능 관련된 기업의 관심을 받을 수 있을 것"이라며 "고성능 메모리시장의 전망이 밝다"고 보도했다.

HBM2E D램의 구체적 양산일정은 공개되지 않았다. [비즈니스포스트 김용원 기자]