SK하이닉스가 올해 시설투자금액을 기존 계획보다 대폭 늘린다.

SK하이닉스는 해외법인을 포함한 올해 시설투자 예정금액을 9조6천억 원으로 변경한다고 26일 밝혔다. 올해 초 발표했던 투자금액 7조 원에서 37.1% 늘어나는 것이다.

이석희 SK하이닉스 경영총괄 사장이 25일 실적발표회에서 “올해 반도체 수요증가에 대응하기 위해 시설투자금액을 기존 계획보다 늘릴 수도 있다”고 말한 데 이어진 것이다.

SK하이닉스는 시장환경 변화에 적극 대응하고 사업경쟁력을 강화하며 미래 성장기반을 확보하기 위해 시설투자를 늘리기로 결정했다고 설명했다.

새로 집행되는 투자금액은 반도체 신규 생산시설을 확보하기 위한 클린룸 건설과 인프라 투자 등에 사용된다. D램과 낸드플래시의 증설투자도 예정돼있다.

SK하이닉스는 상반기에 이미 약 5조 원의 시설투자를 집행한 것으로 알려졌다. 메모리반도체 수요증가에 대응하려면 하반기에도 생산설비 확대가 불가피해 추가투자를 결정한 것으로 보인다.

SK하이닉스는 이날 이사회를 열고 중국 우시법인에 2020년까지 10억 달러(약 1조1천억 원)을 출자하기로 결정했다. 중국 우시의 D램공장 증설투자를 위한 것으로 분석된다. [비즈니스포스트 김용원 기자]