[비즈니스포스트] 삼성전자가 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 등에 적용될 1c D램 양산을 위한 대규모 자본을 지출할 것이란 홍콩 증권사 전망이 나왔다.

이는 1c D램 공정의 수율(완성품 비율)이 크게 개선됐기 때문이며, 올해 말까지 양산을 시작하기 위한 투자라고 이 증권사는 분석했다.
 

16일 홍콩 증권사 CLSA는 보고서를 통해 “삼성전자가 곧 1c D램 양산을 위한 대규모 자본 지출에 나설 것으로 예상된다”며 “1c D램의 모든 기술적 문제를 해결한 것은 아니지만, 내부 생산 준비 승인을 받을 만큼 수율 개선을 이뤘기 때문”이라고 밝혔다.

삼성전자는 HBM4 제작을 위해 경쟁사보다 앞선 1c D램 공정을 활용한다. 5세대 HBM3E에서의 실기를 앞선 공정 적용으로 극복하고자 하는 것이다.

첨단 D램 공정은 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대), 1a(4세대), 1b(5세대), 1c(6세대) 순으로 개발됐는데, 세대를 거듭할수록 선폭이 미세해져 성능과 전력 소비 효율이 높아지는데, SK하이닉스와 마이크론은 1b 공정으로 HBM4를 제작한다.

CLSA에 따르면 삼성전자의 1c 공정 수율은 50%를 넘어섰다. 올해 초까지만 해도 삼성전자 1c 공정 수율은 10% 수준이었던 것으로 알려졌다.

이러한 수율 향상은 삼성전자의 1c 공정 코어 회로 재설계가 주요했다고 CLSA는 분석했다. 또 반도체 다이 크기를 키운 것 역시 도움을 줬다고 부연했다.

삼성전자의 대규모 투자는 평택캠퍼스 P4를 중심으로 진행될 것으로 전망된다. CLSA에 따르면 P4 라인은 올해 하반기 월 5만 개의 1c D램 생산능력을 갖출 것으로 예상된다. 김호현 기자