[비즈니스포스트] TSMC가 올해부터 네덜란드 ASML의 차세대 반도체 노광장비인 ‘하이NA’ 극자외선(EUV) 시스템을 도입해 차세대 미세공정 기술 연구개발에 활용한다.

파운드리 시장에서 삼성전자와 인텔 등 경쟁사와 기술 격차를 유지하겠다는 목표를 두고 새 장비 활용 계획을 예정보다 앞당기고 있는 것으로 분석된다.

닛케이아시아는 1일 관계자로부터 입수한 정보를 인용해 “TSMC가 올해 말부터 대만 신주에 위치한 연구개발센터에 하이NA EUV 장비 설치를 시작한다”고 보도했다.

하이NA EUV는 ASML이 출시한 신형 장비로 첨단 미세공정 파운드리 기술 개발에 한계를 넘고 반도체 생산 효율성도 높일 수 있다.

닛케이아시아에 따르면 TSMC는 2030년 또는 그 이후부터 하이NA 장비를 본격적으로 생산에 활용해 1나노(A10) 반도체 파운드리에 적용할 것으로 예상된다.

양산 시점이 아직 멀었음에도 선제적으로 신형 장비를 도입해 기술 완성도를 높이기 위한 목적으로 분석된다.

하이NA 장비를 기반으로 파운드리 미세공정 개발에 속도를 내면 주요 경쟁사와 기술 대결에서 승기를 잡기도 유리해진다.

차세대 미세공정 반도체 경쟁에서도 선두를 지키겠다는 TSMC의 의지를 반영한 행보로 분석된다.

인텔은 올해 초부터 미국 연구소에 하이NA 장비 도입 소식을 전하며 적극적으로 홍보에 나섰다.

그러나 최근 파운드리 실적 부진과 재무 악화로 투자 여력이 줄어들면서 고가의 하이NA 장비 활용을 서두르기 어려워질 것이라는 전망이 유력하게 나온다.

삼성전자 역시 하이NA 장비를 적극 도입할 ASML의 주요 고객사로 평가받았지만 최근 파운드리 분야에 투자 축소 계획을 발표했다.

하이NA 장비는 가격이 1대당 3억5천만 달러(약 4830억 원) 안팎으로 기존 EUV 장비보다 비싸고 도입 초반에는 생산 효율성과 수율을 확보하기 어렵다는 단점이 있다.

따라서 TSMC도 상용화 시점까지 충분한 여유 기간을 두고 연구개발에 나서는 것으로 분석된다.

TSMC는 닛케이아시아에 “하이NA EUV 장비를 우선 연구개발 목적으로 확보한 뒤 기술 성숙도와 경제성, 고객사 수요 등을 종합적으로 고려해 양산에 활용 여부를 결정할 것”이라고 전했다. 김용원 기자