[비즈니스포스트] 인텔이 3나노 파운드리 반도체 생산으로 미세공정 기술 선두 지위를 되찾았다고 강조했다. 경쟁사인 TSMC와 삼성전자를 마침내 따라잡았다는 것이다.

인텔은 19일 홈페이지에 VLSI 반도체 심포지엄에서 발표한 인텔3(3나노급) 공정과 관련한 기술적 사양 등 세부 정보와 파운드리 사업 현황을 발표했다.

미국 전기전자학회(IEEE)가 개최하는 VLSI 심포지엄은 글로벌 반도체 기술 분야에서 가장 권위가 높은 3대 학회 가운데 하나로 꼽힌다. 올해는 현지시각으로 16~24일 하와이에서 열린다.

인텔은 3나노급 공정이 기존 4나노급 공정과 비교해 반도체 성능은 최대 18%, 집적도는 10% 높일 수 있다며 상당한 기술적 성과를 이뤄냈다고 강조했다.

3나노급 공정은 이미 지난해 4분기부터 인텔 제온6 시리즈 프로세서 생산에 활용되고 있다.

인텔은 2021년에 제시했던 ‘5N4Y’ 목표도 순조롭게 달성하고 있다고 전했다. 5N4Y는 5년 동안 4종의 신규 미세공정 기술 상용화에 성공하겠다는 계획을 의미한다.

이런 방향성을 제시한 뒤 인텔은 실제로 3년 동안 인텔7과 인텔4, 인텔3 공정을 잇따라 선보였다. 내년까지 20A(2나노급), 18A(1.8나노급) 상용화 목표만 남겨두고 있다.

인텔의 신규 미세공정 기술 도입은 TSMC와 삼성전자 등 경쟁사에 수 년 동안 뒤처지고 있던 파운드리 경쟁력을 회복한다는 측면에서 큰 의미가 있다.

2021년 인텔이 5N4Y 계획을 처음 내놓을 때만 해도 10나노 공정이 최신 기술이었던 반면 TSMC와 삼성전자는 이미 5나노 반도체를 상용화하며 크게 앞서나가고 있었다.

인텔은 이번 행사에서 3나노급 공정 도입을 통해 마침내 반도체 미세공정 기술 선두를 되찾는 데 성공했다고 선언했다.

TSMC와 삼성전자 역시 현재 3나노를 최신 파운드리 공정 기술로 활용하고 있는 만큼 인텔이 이들과 마침내 기술 수준에서 동등한 위치에 오르게 됐다는 것이다.

인텔이 10나노에서 3나노까지 파운드리 기술력을 발전시키는 데 걸린 시간은 불과 3년 안팎으로 경쟁사들과 비교하면 상당히 우수한 성과로 평가할 수 있다.

물론 인텔 3나노급 공정을 통해 양산된 반도체의 실제 성능 및 전력효율 등은 아직 확인되지 않은 만큼 객관적 평가를 내리기는 아직 이른 시점이다.

TSMC와 달리 3나노 공정으로 외부 대형 고객사 수주 사례가 적다는 점도 인텔 파운드리가 실제 사업성을 갖추기 위해 극복해야 할 약점으로 남아 있다.

인텔은 “인텔3 공정은 파운드리 사업 최초의 최첨단 공정으로 장기간 고객사 수요에 대응할 것”이라며 앞으로 도입할 20A 및 18A 공정의 기틀을 닦았다”고 전했다. 김용원 기자