[비즈니스포스트] 주요 D램 업체가 고부가 메모리 생산을 확대하기 위해 첨단 공정 웨이퍼 투입을 적극적으로 확대하고 있다는 분석이 나왔다.

21 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론이 HBM3E(5세대 HBM) 생산량을 늘리면서 실리콘관통전극(TSV) 용량을 기준으로 HBM에 첨단공정 웨이퍼 35%가 할당될 것으로 예상된다.
 

HBM은 다른 D램 제품과 비교해 수율이 50~60%로 낮은 수준이다. 게다가 일반 D램 대비 필요로 하는 웨이퍼 면적이 60% 넓어 웨이퍼 투입량이 늘어날 수밖에 없다는 게 트렌드포스의 설명이다.

트렌드포스는 “올해 안에 HBM3E가 HBM 시장의 주류로 자리 잡으면서 하반기에 출하량이 집중될 것”이라며 “메모리 성수기와 맞물려 하반기에 DDR5, LPDDR5(X) 등에 대한 시장 수요도 증가할 것”이라고 예상했다. 김바램 기자