[비즈니스포스트] SK하이닉스가 고대역폭 메모리(HBM) 개발일정을 앞당겨 2025년과 2026년 차세대 HBM을 양산할 것으로 보인다.

SK하이닉스는 13일 서울 광진구 워커힐호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 "HBM D램을 4세대(HBM3) 제품까지 2년 주기로 개발했지만, 기술 발전에 따라 5세대(HBM3E) 제품 이후에는 1년 주기로 단축했다"고 말했다.
 

SK하이닉스의 이날 발표에 따르면 6세대(HBM4)와 7세대(HBM4E)는 각각 1년 만인 2025년과 2026년 기술 개발이 완료될 것으로 예상된다.

SK하이닉스가 7세대인 HBM4E 개발 관련 정보를 공개한 것은 이번이 처음이다.

1~5세대 HBM은 그동안 2년 주기로 세대를 바꿔왔으며, SK하이닉스는 2024년 3월 5세대 HBM인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 공급하고 있다. 조충희 기자