[비즈니스포스트] 삼성전자가 업계 최초로 12단 적층 36GB HBM3E(5세대 HBM) 개발에 성공했다.

27일 삼성전자는 “24GB D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다”고 밝혔다.
 

이 제품은 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 8단 적층 HBM3(4세대 HBM)와 비교해 50% 이상 개선됐다고 회사 측은 설명했다.

12단 적층 제품이지만 ‘어드밴스드 TC NCF’ 기술이 적용돼 8단과 동일한 높이로 구현됐다. 어드밴스드 TC NCF는 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 '휘어짐 현상'을 최소화 할 수 있어 고단 적층에 유리한 기술이다.

이 제품은 HBM 업계 최소 미세 공정인 '7마이크로미터(um)'를 적용해 수직 집적도가 8단 적층 HBM3 대비 20% 이상 높아졌다고 회사 측은 덧붙였다.

회사는 12단 적층 HBM3E의 샘플을 고객사에 제공하기 시작했으며, 올해 상반기 양산에 나선다고 밝혔다.

배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 부사장은 “삼성전자는 인공지능(AI) 서비스를 제공하는 고객사의 고용량 솔루션 니즈에 부합하는 혁신 제품 개발에 힘쓰고 있다”며 “앞으로 HBM 고단 적층을 위한 기술 개발에 주력하는 등 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나갈 것”이라고 말했다. 김바램 기자