[비즈니스포스트] 대만 TSMC가 2025년 양산을 앞둔 2나노 공정은 물론 차세대 기술인 A14(1.4나노)에도 ASML의 하이NA EUV 장비를 도입하지 않을 것이라는 전망이 나왔다.

ASML과 신기술 활용을 위한 연구개발 협력을 강화하고 있는 삼성전자가 과거 7나노 공정에 EUV를 선제 도입해 TSMC의 기술력을 따라잡은 성과를 재현할 가능성도 떠오른다.

7일 대만 디지타임스가 반도체 장비업계에서 입수한 정보에 따르면 TSMC는 현재 발표한 로드맵에 포함된 파운드리 공정에 하이NA EUV를 적용할 계획을 세워두지 않았다.

하이NA EUV는 ASML이 올해 출하를 시작한 신형 반도체장비로 2나노 미만 미세공정 반도체 생산에 적합한 기술을 구현하고 있다.

TSMC는 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 파운드리 상용화를 목표로 두고 있다. 이를 위한 기술 개발과 생산 투자도 순차적으로 진행되고 있다.

인텔은 이미 미국 반도체공장에 하이NA EUV 반입을 시작하며 첫 고객사로 자리잡았다. 삼성전자는 이를 2027년부터 한국에 들여놓는다는 계획을 두고 있다.

삼성전자 역시 1.4나노 반도체 양산을 2027년 시작하겠다는 계획을 두고 있는 만큼 새 장비를 본격적으로 생산에 활용하기 위한 목적으로 분석된다.

그러나 파운드리 1위 업체 TSMC는 경쟁사들과 달리 신기술 도입을 서두르지 않고 있는 상황이다.

디지타임스의 보도 내용은 시장 조사기관 세미애널리시스가 최근 보고서에서 예측한 내용과 일치한다.

TSMC가 하이NA EUV를 도입한다면 파운드리 사업에서 생산성이 낮아져 오히려 실적이 악화할 수 있기 때문에 2030년 이전에는 이를 활용하려 할 가능성이 낮다는 것이다.

하이NA 장비 가격 차제가 1대당 최고 4억 달러(약 5298억 원) 달러로 비싸다는 점도 반도체 생산량이 가장 많은 TSMC가 투자 부담을 더 크게 고려할 수밖에 없는 이유로 꼽힌다.

결국 인텔과 삼성전자가 TSMC보다 신형 장비를 먼저 반도체 양산에 활용하며 TSMC의 기술력을 추격할 수 있는 기회가 열리고 있는 셈이다.
 
하이NA EUV 장비는 2나노 미만 미세공정 반도체를 생산할 때 필요한 공정을 단순화해 장기 관점에서는 생산성과 수익성을 모두 높일 수 있는 잠재력을 갖추고 있다.

특히 삼성전자는 이를 계기로 과거 7나노 공정에서 EUV를 TSMC보다 일찍 도입해 기술 추격에 결정적 기회를 잡았던 사례를 재현하게 될 가능성도 충분하다.

삼성전자는 2018년 말 EUV 장비를 활용하는 7나노 파운드리를 세계 최초로 상용화했다. TSMC는 7나노 반도체 생산을 먼저 시작했지만 EUV를 도입하지 않고 있던 시점이었다.

TSMC가 이듬해 뒤늦게 EUV 기술을 7나노 미세공정에 적용할 때까지 삼성전자는 파운드리 업계에서 가장 앞선 기술력을 갖춘 기업으로 평가받았다.

이는 사실상 TSMC가 독점하고 있던 시장으로 꼽히는 첨단 파운드리 분야에서 삼성전자가 확실한 라이벌 기업으로 고객사들에 인식되기 시작하는 계기가 됐다.

삼성전자가 차세대 장비인 하이NA EUV를 1.4나노 등 공정에 TSMC보다 먼저 활용한다면 이러한 성과를 재현할 수 있는 기회를 잡게 될 공산이 크다.

최근 삼성전자는 ASML과 한국에 연구개발센터 설립 계획을 발표하는 등 EUV 기반의 기술력 강화에 주력하고 있다.

ASML은 해외언론을 통해 삼성전자와 협력이 하이NA EUV에 중점을 두게 될 것이라고 밝히며 신형 장비 공급 확대에 강한 의지를 보였다. 김용원 기자