[비즈니스포스트] 대만 TSMC가 국제 학회에서 1.4나노 미세공정 파운드리 기술 개발을 공식화하며 2025년부터 2나노 반도체 대량생산을 시작하겠다는 계획도 재확인했다.

TSMC가 1.4나노 공정에 처음으로 ASML의 차세대 ’하이NA’ EUV(극자외선) 장비를 활용해 기존 공정과 기술 차별화를 추진할 수 있다는 전망도 나온다.

14일 IT전문지 톰스하드웨어에 따르면 TSMC는 현지시각으로 13일까지 미국 캘리포니아에서 열린 국제 전자소자학회(IEDM)를 통해 파운드리 기술 로드맵을 일부 공개했다.

TSMC는 이미 양산을 시작한 3나노 공정에 이어 2나노 반도체 대량 생산을 2025년에 시작하고 차세대 공정인 ‘A14’ 공정도 개발 중인 단계에 있다고 전했다.

A14는 TSMC의 1.4나노 미세공정 기술로 추정된다. 이르면 2027년 상용화가 예정돼 있다.

TSMC의 1.4나노 도입 계획은 그동안 시설 투자 계획 등 여러 정황을 통해 전해졌는데 이번처럼 학회를 통해 정식으로 로드맵을 공개한 것은 이번이 처음이다.

톰스하드웨어는 “TSMC 1.4나노 공정 개발이 순조롭게 진행되고 있는 것으로 보인다”며 “2나노 공정 도입 시점도 2025년으로 재확인했다는 데 의미가 있다”고 바라봤다.

2나노 및 1.4나노 등 차세대 파운드리 미세공정은 삼성전자와 TSMC 사이 치열한 속도전이 벌어지고 있는 분야다.

두 회사 모두 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 반도체 양산을 목표로 기술 개발과 생산설비 투자를 이어가고 있다.

톰스하드웨어는 TSMC가 1.4나노 공정에 2~3세대 GAA(게이트올어라운드) 기술과 ASML의 하이NA EUV 장비를 도입할 수 있다는 전망을 제시했다.
  하이NA EUV는 ASML이 독점 생산하는 반도체 장비로 2나노 미만 미세공정 기술 구현에 활용된다. 아직 생산이 시작되지 않았지만 여러 고객사의 수요가 발생하고 있다.

인텔이 가장 적극적으로 하이NA EUV 장비를 파운드리 사업에 활용하겠다는 계획을 제시했고 삼성전자와 TSMC 역시 선제적으로 물량 확보 경쟁에 나섰다.

ASML의 반도체 장비 생산 능력에 한계가 있어 초반부터 심각한 공급 부족이 예상되기 때문이다.

TSMC가 예상대로 하이NA EUV를 적기에 도입하면 1.4나노 기술을 기존 공정과 차별화해 위탁생산하는 반도체의 성능을 크게 끌어올릴 수 있다.

다만 인텔에 이어 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등이 이미 하이NA EUV 장비 물량 확보를 위해 적극적으로 뛰어들고 있는 만큼 상황을 예측하기 어려워지고 있다.

이재용 삼성전자 회장은 최근 윤석열 대통령 및 최태원 SK그룹 회장과 함께 네덜란드 ASML 본사를 방문해 다방면으로 협력을 약속하며 관계 강화에 힘쓰고 있다.

미국 뉴욕주는 직접 예산을 투자해 마이크론의 하이NA EUV 장비 확보를 돕겠다는 계획을 내놓았고 팻 겔싱어 인텔 CEO 역시 최근 ASML 경영진을 만나며 협업 관계를 재확인했다.

톰스하드웨어는 “하이NA EUV 도입은 반도체 설계업체와 위탁생산업체에 모두 기술적 도전을 안겨줄 것”이라며 “그러나 TSMC가 차기 공정 개발에 집중하고 있다는 점은 분명해 보인다”고 보도했다. 김용원 기자