[비즈니스포스트] 삼성전자가 2025년 HBM4(고대역폭메모리 6세대)를 개발해 인공지능(AI) 반도체 생태계를 확장하겠다는 포부를 내놨다. 

황상준 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장 부사장은 10일 삼성전자 뉴스룸 기고문을 통해 “6세대 HBM 제품인 HBM4를 2025년 목표로 개발하고 있다”며 “5세대 제품인 HBM3E를 고객사에 샘플 공급한다”고 10일 밝혔다. 
 

황 부사장은 “초거대 인공지능 시대에는 메모리 기술의 발전과 성능향상이 중요하다”며 “삼성전자는 40년 동안 쌓은 독보적 기술 노하우를 바탕으로 인공지능 반도체 생태계를 확장할 다양한 제품을 준비하고 있다”고 강조했다. 

고대역폭메모리란 D램 여러 개를 수직으로 연결해(적층) 기존 D램과 비교해 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 반도체를 말한다. D램을 적층하면 면적당 높은 용량을 확보할 수 있어 대용량이 데이터를 처리할 수 있다. 

중앙처리장치(CPU), 그래픽처리장치(GPU) 등과 함께 패키징 되며 칩과 칩 사이는 TSV기술을 사용해 연결한다. TSV란 실리콘 관통전극을 의미하며 실리콘 웨이퍼 내부를 관통하는 수직 전기 열결구조를 형성하는 기술이다. 

고대역폭메모리는 데이터 전송속도가 매우 빨라 고성능을 발휘해 머신너링, 고성능컴퓨팅(HPC)분야 등에서 사용된다. 

1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3) 순서로 제품이 출시됐다. 메모리반도체업체들은 현재 5세대(HBM3E), 6세대(HBM4) 양산 준비를 하고 있다.

황 부사장은 “HBM4 제품에 적용하기 위한 고온 열특성에 최적화된 비전도성접착필름(NCF) 조립 기술과 하이브리드 본딩(HCB) 기술도 준비하고 있다”고 말했다.

그는 “HBM과 함께 2.5차원, 3차원 첨단 패키지 솔루션을 포함한 첨단 맞춤형 턴키 패키징 서비스도 제공해 인공지능·고성능컴퓨팅 시대에 최고의 솔루션을 선보이겠다”고 덧붙였다. 

하이브리드 본딩은 칩과 칩 사이 공간을 없앤 뒤 바로 접하는 기술로 주목받는 신기술이다. 비전도성접착필름은 다층 수직구조 적층이 가능하도록 하는 접착제를 말한다. 

황 부사장은 “D램 시장의 큰 변곡점이 될 10나노 이하 공정을 기반으로 인공지능 시대에 세상이 원하는 초고서능, 초고용량, 초전력 메모리 제품을 제공하겠다”고 말했다. 류수재 기자