이석희 SK하이닉스 대표이사 사장이 기존보다 훨씬 기술 수준이 높은 메모리반도체를 개발하겠다는 목표를 내놨다.

이석희 사장은 22일 열린 국제전기전자학회(IEEE) 온라인 콘퍼런스에 참석해 “D램과 낸드 각 분야에서 물질과 설계구조를 개선하고 있으며 신뢰성 문제도 해결해가고 있다”며 “이를 바탕으로 성공적 플랫폼 혁신이 이뤄진다면 향후 D램 10나노미터(nm) 이하 공정 진입, 낸드 600단 이상 적층도 가능하다”고 밝혔다.

D램과 낸드플래시는 모두 메모리반도체의 하나다. D램은 반도체 회로폭을 나노 단위로 좁히는 방식으로 성능이 개선된다. 낸드플래시는 기본 저장단위 셀을 높이 쌓을수록 성능 향상이 이뤄진다.

현재 SK하이닉스와 마이크론이 개발한 176단 낸드가 가장 적층 단수가 높은 제품으로 알려져 있다.

이 사장은 앞으로 메모리반도체는 정보를 저장하고 처리하는 것 이상의 역할을 수행하며 미래 정보통신기술(ICT) 세상에서 중심적인 역할을 하게 될 것이라고 봤다.

그동안 메모리반도체산업이 고용량, 초고속, 저전력 구현에 집중해 왔다면 앞으로는 스마트 정보통신기술 환경에 적합하도록 높은 수준의 신뢰성을 갖추는 것도 중요하다고 덧붙였다.

앞으로 메모리반도체가 성능 한계를 극복하기 위해 메모리와 처리장치(로직)가 융합되는 방향으로 발전할 것으로 내다봤다. 또 발달한 메모리반도체는 이산화탄소 방출량을 줄이는 등 환경보호에 기여할 것으로 예상했다.

반도체기업 사이 협력을 강조하기도 했다.

이 사장은 ”고객과 협력사와 협업을 기반으로 개방형 혁신을 지향하는 동반자적 관계를 구축하는 것이야말로 경제적 가치와 사회적 가치를 동시에 추구하는 새로운 시대를 만들 수 있는 방법이다“고 말했다. [비즈니스포스트 임한솔 기자]