[비즈니스포스트] 삼성전자가 2분기에 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 개발을 완료했으며, 샘플을 최근 고객사에 보냈다고 밝혔다.

또 3분기에는 엔비디아용 차세대 저전력 메모리모듈 ‘소캠(SOCAMM)’ 양산에 돌입할 계획이라고 밝혔다.
 

31일 반도체 업계 취재를 종합하면 삼성전자는 이날 진행된 2분기 실적발표 IR 행사에서 내부적으로 HBM4의 1c D램 공정 양산 전환이 승인됐다고 밝혔다.

HBM 성능을 높이기 위해 삼성전자는 경쟁사보다 앞선 6세대 1c D램 기술로 HBM4를 개발하고 있다. SK하이닉스와 마이크론은 5세대 1b D램 기술로 HBM4를 제작한다.

삼성전자 관계자는 "이미 HBM4 제품 내부 양산 승인과 개발이 완료됐으며, 샘플은 고객사에 출하됐다"며 "2026년 HBM4 수요가 본격적으로 시작되는 시점에 맞춰 적기 공급을 노리고 있다"고 말했다.

1c D램 생산능력을 키우기 위한 투자도 이어지고 있다고 설명했다.

홍콩 증권사 CLSA에 따르면 삼성전자의 대규모 투자는 평택캠퍼스 P4를 중심으로 진행될 것으로 전망된다. CLSA에 따르면 P4 라인은 올해 하반기 월 5만 개의 1c D램 생산능력을 갖출 것으로 예상된다.

삼성전자 관계자는 3분기 소캠의 양산과 출하를 계획하고 있다고 밝혔다.

소캠은 엔비디아가 올해 하반기 생산할 AI 칩 ‘블랙웰 울트라(GB300)’에 탑재될 예정이며, 저전력을 특징으로 미래 자율주행차, AI 슈퍼컴퓨터, 로봇 등에 활용될 가능성이 크다.

SK하이닉스와 마이크론은 소캠 샘플을 고객사에 이미 공급한 상황이며, 업계에서는 마이크론이 가장 앞서고 있다는 평가가 나오고 있는 상황이다. 김호현 기자