[비즈니스포스트] SK하이닉스가 세계 최초로 12단 5세대 고대역폭메모리(HBM3E) 양산에 돌입했다.

SK하이닉스는 26일 현존 최대 HBM 용량인 36기가바이트(GB)를 구현한 12단 HBM3E 신제품 양산을 시작했다고 밝혔다.

기존 HBM3E 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB였다.

SK하이닉스는 양산 12단 HBM3E를 연내 고객사에 공급할 예정이다. 8단 HBM3E를 업계 최초로 고객사에 납품한지 6개월 만이다.
 
HBM3E 12단 제품이 AI 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준을 충족시켰다고 SK하이닉스는 설명했다.

이어 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다고 부연했다. SK하이닉스는 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 TSV 기술을 활용해 수직으로 쌓았다.

여기에 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. SK하이닉스의 핵심 기술인 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였으며, 강화된 휨 현상 제어를 적용했다.

김주선 SK하이닉스 사장은 “다시 한번 기술 한계를 돌파하며 시대를 선도하는 독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다”며 “앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 ‘글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더’로서의 위상을 이어가겠다”고 말했다. 김호현 기자