[비즈니스포스트] 삼성전자가 고용량·고성능 낸드플래시 시장 리더십을 강화한다.

삼성전자는 초고용량 서버 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 위한 '1테라비트(Tb) 쿼드레벨셀(QLC) 9세대 V낸드'를 업계 최초로 양산하는 데 성공했다고 12일 밝혔다.

쿼드레벨셀(QLC)은 셀 하나에 4비트를 저장하는 낸드플래시로 1비트를 저장하는 싱글레벨셀(SLC) 방식 대비 4배 많은 데이터를 저장할 수 있는 제품이다.

삼성전자는 “9세대 V낸드는 독보적인 '채널 홀 에칭' 기술을 활용해 더블 스택 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈다”고 설명했다.

채널 홀 에칭은 몰드 층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다.

특히 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀과 페리(셀의 동작을 관장하는 각종 회로들로 구성)의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드 대비 약 86% 증가한 업계 최고 수준의 비트 밀도를 구현했다.

V낸드의 적층 단수가 높아질수록 층간, 층별 셀 특성을 균일하게 유지하는 것이 더욱 중요해졌으며, 삼성전자는 이를 위해 '디자인드 몰드' 기술을 활용했다.

디자인드 몰드란 셀 특성 균일화, 최적화를 위해 셀을 동작시키는 워드라인(WL)의 간격을 조절하여 적층하는 기술이다. 이를 통해 데이터 보존 성능을 이전 제품보다 약 20% 높였다.

이번 9세대 QLC는 셀의 상태 변화를 예측하여 불필요한 동작을 최소화하는 '예측 프로그램 기술' 혁신을 통해 이전 세대 QLC 제품 대비 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선했다.

또 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 비트라인(BL)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 '저전력 설계 기술'을 활용해 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력이 각각 약 30%, 50% 감소했다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 "9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드도 양산에 성공함으로써 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다"며 "최근 AI향으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것"이라고 말했다. 나병현 기자