[비즈니스포스트] 삼성전자가 개발한 반도체 핵심 기술을 중국 기업에 유출한 혐의를 받는 삼성전자 전 임원과 수석연구원이 구속됐다.

6일 서울경찰청 산업기술안보수사대는 삼성전자 핵심 반도체 기술인 20나노급 D램 공정 기술 자료를 중국 청두가오전 하이테크놀로지(CHJS)에 유출했다는 의혹을 받는 전직 임원 최모 씨와 수석연구원 오모 씨를 산업기술법 위반과 부정경쟁방지 및 영업비밀보호법 위반 협의로 5일에 구속했다고 밝혔다.
 

두 사람은 삼성전자가 2014년 독자적으로 개발한 20나노급 반도체 생산에 필요한 온도와 압력 등 단계 공정에 관한 정보가 담긴 자료 700여개를 청두가오전에 빼돌린 혐의를 받는다.

최씨는 2021년 중국 청두시의 투자를 받아 청두가오전을 설립했고, 오씨는 청두가오전의 임원을 지낸 것으로 전해졌다.

경찰은 이들이 기술을 유출했다는 첩보를 파악한 뒤 수사에 착수했다. 경찰은 오씨의 자택 압수수색을 실시해 공정도를 발견했으며 관련 혐의를 추적해왔다.

경찰은 지난 1월 법원에 오씨의 구속영장을 신청했으나 기각됐다. 그 뒤 보완수사를 거쳐 오씨 구속영장을 다시 신청했고, 법원은 도주를 우려에 이를 받아들였다. 김대철 기자