[비즈니스포스트] SK키파운드리가 차세대 전력 반도체 개발에 속도를 내고 있다.

8인치 순수 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 SK키파운드리는 차세대 전력 반도체 '질화 갈륨(GaN)'의 주요 소자 특성을 확보하고, 올해 안에 개발을 완료하겠다고 19일 밝혔다.
 

SK키파운드리는 GaN 전력 반도체의 시장성과 잠재력에 주목해, 2022년 정식 팀을 구성해 GaN 공정을 개발해 왔다. 최근에는 650V GaN 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 소자 특성을 확보했다.

650V GaN HEMT는 전력 효율이 높아, 실리콘 기반 제품보다 방열 기구 비용을 줄여준다. 이에 따라 기존 실리콘과 비교해도 최종 고객의 시스템 가격에 큰 차이가 없다.

회사 관계자는 “실리콘 기반의 650V 제품으로 고속 충전 어댑터, LED 조명, 데이터센터와 에너지저장장치(ESS), 태양광 마이크로 인버터 등 시장에서 사업하고 있는 팹리스(반도체 설계) 기업들의 프리미엄 제품 개발에 유리한 장점으로 작용할 것”이라고 말했다. 

GaN은 기존 실리콘 기반 반도체보다 저손실, 고효율, 소형화가 가능한 차세대 전력 반도체로 불린다. 주로 전원 공급 장치, 하이브리드차와 전기차, 태양광 발전 인버터 등에 사용된다.

시장조사업체 옴디아에 따르면 GaN 전력 반도체 시장은 2023년 5억 달러에서 2032년 64억 달러까지 연평균 33% 성장할 것으로 전망된다. 

회사는 650V GaN HEMT를 기반으로 다양한 전압의 GaN HEMT와 GaN 집적회로(IC)까지 제공할 수 있는 GaN 포트폴리오를 구성할 계획이라고 밝혔다..

이동재 SK키파운드리 대표이사는 "SK키파운드리의 강점인 고전압 바이폴라·상호보완모스·이중확산모스(BCD)와 더불어 차세대 전력반도체를 준비 중"이라며 "GaN 뿐만 아니라 향후 SiC까지 전력 반도체 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 자리매김하겠다."고 말했다. 나병현 기자