[비즈니스포스트] SK하이닉스가 반도체 업계 최초로 300단 이상 낸드플래시 반도체 시제품(샘플)을 공개했다.

SK하이닉스는 현지시각 8일 미국 산타클라라에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2023’에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(트리플 레벨 셀) 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 샘플을 공개했다.
 

메모리 반도체업계에서 300단 이상 낸드플래시의 구체적 개발경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음이다.

SK하이닉스는 321단 낸드플래시의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산하겠다는 구상도 알렸다.

SK하이닉스 관계자는 "양산하고 있는 현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다"며 "SK하이닉스는 적층 한계를 다시 한 번 넘어서 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도하겠다"고 말했다.

321단 1Tb TLC 낸드플래시는 이전 세대인 238단 512Gb(기가비트)보다 생산성이 59% 높아지는 특징을 지녔다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 쌓아올려 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현할 수 있어 웨이퍼 1장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘었기 때문이다.

최정달 SK하이닉스 낸드개발담당 부사장은 이번 행사 기조연설에서 “SK하이닉스는 4D낸드  321단 제품의 개발을 완료해 낸드플래시 기술리더십을 공고히 다질 것이다”며 “인공지능 시대가 요구하는 고성능, 고용량의 낸드플래시를 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌겠다”고 말했다. 조장우 기자