[비즈니스포스트] 삼성전자가 메모리 반도체업계에서 최첨단인 12나노급 D램 반도체를 개발했다.

삼성전자는 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고 최근 중앙처리장치(CPU)제조회사 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다.
 

삼성전자는 유전율이 높은 신소재를 적용해 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 높이고 회로특성을 개선한 혁신적 설계를 통해 12나노급 공정을 완성했다.

또한 삼성전자는 이번 D램 개발에 멀티레이어 극자외선(EUV) 기술을 활용해 메모리 반도체업계에서 최고수준의 집적도를 이뤘다고 설명했다. 12나노급 D램은 이전세대 제품과 비교해 생산성이 약 20% 향상된 것으로 파악된다.

DDR5 규격의 이번 제품은 최대 동작속도 7.2Gbp를 지원해 1초에 30GB 용량의 UHD 영화2편을 처리할 수 있도록 만들어졌다.

삼성전자는 이 제품이 이전 세대 제품보다 소비전력을 약 23% 개선해 기후위기 극복에 동참하고 있는 글로벌 IT기업들에게 좋은 해결책이 될 것으로 기대했다.

삼성전자는 성능과 전력효율을 지속적으로 개선해 12나노급 D램 라인업을 확대할 계획을 세우고 데이터센터·인공지능·차세대 컴ㅍ팅 등 다양한 응용처에 공급하기로 했다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장 부사장은 “메모리반도체 업게 최선단 12나노급 D램은 본격적 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것이다”며 “차별화된 공정 기술력을 통해 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 분야에서 고객의 지속가능한 경영환경을 제공하는데 기여하겠다”고 말했다. 조장우 기자