[비즈니스포스트] SK하이닉스가 소비전력은 25% 줄이고 속도는 33% 빨라진 모바일 D램을 개발했다.

SK하이닉스는 세계 최초로 모바일용 D램에 ‘HKMG’ 공정을 도입한 LPDDR5X 개발을 완료하고 최근 판매를 시작했다고 9일 밝혔다.
 

HKMG(High-K Metal Gate)란 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정이다. 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있다.

이 제품은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 정한 초저전압 범위인 1.01~1.12V에서 작동하면서 이전 세대 대비 소비전력을 25% 줄이는 데 성공해 업계 최고의 전력사용 효율성을 확보했다. 또 이전 세대 대비 33% 빠른 8.5Gbps의 동작 속도를 갖췄다.

모바일용 D램으로 불리는 LPDDR의 경우 규격명에 LP(로우 파워)라는 표현이 사용된 만큼 낮은 전력 소비가 최대 관건이다.

모바일은 전력이 한정돼 있기 때문에 제품의 사용 시간을 늘리기 위해선 전력소비를 최대한 줄여야 한다. 빨라진 동작 속도만큼 낮아진 소비전력이 중요한 이유다.

LPDDR5X는 모바일용 D램 가운데  최초로 HKMG 공정을 도입해 속도 향상 및 소비전력 감소가 가능해졌다.

LPDDR5X를 통해 D램의 소비전력이 더욱 낮아지면서 해당 제품이 적용된 모바일 디바이스는 한번 충전으로 더욱 오랜 시간 사용할 수 있을 것으로 보인다.

이욱재 SK하이닉스 PL(프로젝트 리더)은 “LPDDR5X가 적용된 스마트폰의 경우 이전 세대의 스마트폰과 비교해 사용시간이 더욱 늘어날 것”이라며 “이는 소비자 입장에서 1회 충전으로 더 오래 사용할 수 있다는 장점도 되겠지만 그만큼 충전 빈도수도 줄어드는 것이기 때문에 전기를 덜 쓰게 되는 것이고 이는 결국 탄소 절감 효과로도 이어질 수 있다”고 설명했다. 나병현 기자