삼성전자가 IBM과 함께 반도체 성능을 개선하거나 전력 소모를 줄일 수 있는 새 설계를 선보였다고 해외언론이 보도했다.

13일 전자전문매체 엔가젯에 따르면 삼성전자와 IBM은 11일 미국 샌프란시스코에서 열린 국제반도체소자학회(IEDM) 회의 첫날 반도체 트랜지스터를 칩에 수직으로 적층하는 새로운 설계를 공개했다.
 

이 설계는 ‘수직 적층전송 전계효과 트랜지스터(VTFET, VT펫)’라고 이름 지어졌다.

기존 ‘핀펫(FinFET)’ 방식의 반도체에서는 트랜지스터가 칩 표면에 평평하게 놓이고 전류가 좌우로 흐른다.

반면 새로운 VT펫 방식의 반도체에서는 트랜지스처와 칩이 수직으로 위치해 전류도 세로로 흐른다.

삼성전자와 IBM은 VT펫으로 설계된 칩이 핀펫 칩보다 2배 더 빠르거나 85% 적은 전력을 사용하는 프로세서로 이어질 수 있다고 설명했다.

예를 들어 새 설계를 적용하면 언젠가는 1회 충전으로 1주일 사용할 수 있는 스마트폰을 개발할 수 있다고 두 회사는 주장했다.

VT펫 방식의 칩은 크립토마이닝(암호화폐 채굴) 등 에너지 집약적 작업들을 효율적으로 진행해 부정적 환경 영향을 줄일 수도 있다고 두 회사는 설명했다.

삼성전자와 IBM은 VT펫 설계의 상용화 계획을 밝히지 않았다. [비즈니스포스트 강용규 기자]