삼성전자가 내년 3나노급 반도체 양산에 들어간다.

삼성전자는 29일 2분기 실적발표 콘퍼런스콜을 통해 “내년 3나노 1세대 파운드리(반도체 위탁생산) 공정에 게이트올어라운드(GAA) 공정을 적용해 양산할 것이다”며 “주요 고객사가 3나노 1세대 제품을 설계하고 있다”고 밝혔다.
 

삼성전자는 “3나노 2세대 제품은 2023년 양산이 목표다”며 “3나노 1·2세대 양산을 통해 삼성의 파운드리 리더십을 더욱 확대할 수 있을 것으로 기대된다”고 말했다.

삼성전자는 3나노 공정 양산을 준비하면서 기존 공정의 공급을 확대하기로 했다. 파운드리 공장인 평택 S5 라인의 공급능력을 극대화해 5나노 1세대, 4나노 2세대 반도체 공급을 늘린다는 방침을 세웠다.

메모리반도체와 관련해서는 극자외선(EUV) 기반 D램과 7세대 V낸드 등 첨단제품을 생산한다.

삼성전자는 “극자외선을 적용한 14나노 D램을 하반기 양산할 것이다”며 “176단 7세대 V낸드를 채용한 소비자용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품도 하반기 본격 양산하겠다”고 말했다.

삼성전자는 “현재 14나노 기반 DDR5 D램 제품은 극자외선을 적용해 전체 공정이 줄어 원가절감효과를 얻고 있다”며 “낸드플래시는 단수에 집중하기보다는 쌓아올린 층의 효율성, 원가 측면에서 경쟁력이 있는지 등에 집중하고 있다”고 덧붙였다. [비즈니스포스트 임한솔 기자]