삼성전자가 첨단공정을 활용한 고용량 차세대 D램모듈을 선보인다.

삼성전자는 25일 업계 최초로 하이케이 메탈게이트(High-K Metal Gate, 이하 HKMG) 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB DDR5 메모리모듈을 개발했다고 밝혔다.

DDR5는 차세대 D램규격으로 기존 규격인 DDR4보다 2배 이상의 데이터 전송속도(7200Mbps)를 구현할 수 있다.

삼성전자가 이번에 개발한 고용량 DDR5모듈은 업계 최고 수준의 고용량·고성능·저전력을 구현했다. 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능 등 첨단산업 발전의 핵심 솔루션 역할을 할 것으로 기대된다.

이번에 개발된 DDR5 메모리는 메모리반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질(하이케이)을 공정에 적용했다.

HKMG가 적용된 삼성전자 DDR5 메모리모듈은 기존 공정보다 전력 소모가 약 13% 감소한다. 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 응용처에 적합하다.

또한 이번 제품에는 범용 D램제품 가운데 처음으로 8단 실리콘관통전극(TSV) 기술이 적용됐다.

삼성전자는 2014년 세계 최초로 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용해 64GB에서 256GB까지 고용량 모듈제품을 서버 시장에 선보인 바 있다. 

손영수 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 “삼성전자는 반도체 기술 경쟁력을 바탕으로 업계 최초로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다”며 “공정 혁신을 통해 개발된 DDR5 메모리는 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화할 것으로 기대된다"고 말했다.

캐롤린 듀란 인텔 메모리&IO기술 총괄부사장은 “처리해야할 데이터 양이 기하급수적으로 늘어나 차세대 DDR5 메모리의 중요성이 대두되고 있다”며 “인텔은 인텔 프로세서와 호환되는 DDR5 메모리를 선보이기 위해 삼성전자와 긴밀하게 협력하고 있다”고 밝혔다. 

삼성전자는 HKMG 공정과 8단 TSV 기술을 적용한 고용량 DDR5 메모리를 차세대 컴퓨팅시장의 고객 수요에 따라 알맞은 시기에 상용화한다는 계획을 세웠다. [비즈니스포스트 김디모데 기자]