삼성전자가 5나노급 반도체 등 첨단 반도체의 위탁생산 규모를 확대하기 위해 경기도 평택사업장에 극자외선(EUV) 공정을 활용한 생산시설을 구축한다.

극자외선 공정은 기존 불화아르곤레이저보다 파장이 짧은 극자외선을 활용해 더욱 미세한 반도체 회로를 구현함으로써 반도체 성능과 생산성을 높이는 기술을 말한다. 
 

삼성전자는 5월 평택 극자외선 파운드리(반도체 위탁생산) 생산라인 공사를 시작했고 2021년 하반기부터 시설을 가동한다고 21일 밝혔다.

이번 투자는 삼성전자가 2019년 4월 발표한 '반도체 비전 2030'의 일환으로 알려졌다. 삼성전자는 시스템반도체 분야에서 2030년까지 글로벌 1위를 달성하기 위해 여러 세부 전략을 실행하고 있다.

삼성전자는 올해 2월 화성사업장에서 극자외선 전용 생산라인 'V1'을 가동하기 시작했다.

하반기부터 화성사업장에서 5나노급 반도체를 먼저 양산하고 평택 극자외선 생산라인이 완공되면 평택사업장에서 5나노급 반도체를 주력으로 생산한다는 방침을 세웠다.
  
삼성전자는 2021년 평택 생산라인이 가동되면 7나노급 이하 공정 기반 제품의 생산 규모를 크게 늘릴 수 있을 것으로 본다.

정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부장 사장은 "5나노급 이하 공정 제품의 생산규모를 확대해 극자외선 기반 초미세시장의 수요 증가에 적극 대응할 것"이라며 "전략적 투자와 지속적 인력 채용을 통해 파운드리사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것"이라고 말했다. [비즈니스포스트 임한솔 기자]