삼성전자가 세계 최초로 3세대(48단) 3차원 V 낸드플래시를 양산에 성공했다.

삼성전자는 이를 통해 낸드플래시시장에서 후발주자들과 격차를 더욱 벌렸다.

삼성전자는 세계 최초로 256기가비트(Gb) 3차원 V 낸드플래시를 양산하는 데 성공했다고 11일 밝혔다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 “이번 제품을 통해 글로벌 기업과 소비자들에게 더욱 편리한 대용량 고효율 저장 솔루션을 제공할 수 있게 됐다”며 “초고속 프리미엄 솔리드스테이트드라이브(SSD) 시장에서 사업영역을 지속적으로 확대하며 독보적 위상을 유지해 나갈 것”이라고 밝혔다.

삼성전자는 이 제품에 3세대 3차원 V 낸드플래시 기술을 적용했다. 이 기술은 데이터를 저장하는 3차원 셀을 기존 2세대의 32단보다 1.5배 쌓아올려 48단으로 구성하는 기술이다.

삼성전자는 이를 통해 기존 2세대(32단) 낸드플래시보다 데이터 저장 용량을 2배 늘렸고 소비전력은 30% 줄였다.

삼성전자는 이 칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트(GB) 용량의 메모리카드를 만들 수 있다고 설명했다.

삼성전자는 이 제품 양산에 기존 32단 낸드플래시 양산설비를 최대한 활용했다. 삼성전자는 이를 통해 제품 생산성을 약 40%나 높여 원가 경쟁력을 대폭 강화했다.

삼성전자는 현재까지 유일하게 3차원 V 낸드플래시를 양산하고 있다.

삼성전자는 지난해 8월 2세대 3차원 V 낸드플래시를 생산한지 1년 만에 3세대 3차원 V 낸드플래시도 양산하게 됐다. [비즈니스포스트 오대석 기자]