삼성전자가 3진법 방식을 이용해 데이터 효율을 크게 끌어올리는 UNIST(울산과학기술원)의 반도체 기술 연구를 지원한다.

삼성전자는 김경록 UNIST 전기전자컴퓨터공학부 교수 연구팀이 ‘3진법 금속 산화막 반도체’를 세계 최초로 대면적 실리콘 웨이퍼(반도체 원판)에서 구현하는 데 성공했다고 17일 밝혔다.
 

기존 반도체는 0과 1 두 가지 값으로 정보를 처리하고 저장하는 비트(bit)단위를 사용한다.

김 교수 연구팀이 개발한 3진법 반도체는 0, 1, 2 값으로 정보를 처리하는 트리트(trit) 단위를 사용하기 때문에 계산속도를 높이고 반도체 크기와 전력소모를 줄이는 효과가 있다.

예를 들어 128이라는 숫자를 표현하려면 기존 2진법 기반 반도체에서 8bit가 필요했지만 3진법 반도체에서는 5trit만 있으면 정보를 처리하고 저장할 수 있다.

김 교수는 “이번 연구결과는 3진법 반도체의 상용화 가능성을 보여줬다는 데 큰 의미가 있다”며 “메모리 및 시스템반도체의 공정, 소자, 설계 등 모든 분야에 걸쳐 미래 반도체 패러다임 변화를 선도하겠다”고 말했다.

3진법 반도체는 특히 대량의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 인공지능과 자율주행, 사물인터넷 등 신산업 분야에서 기술 발전에 기여할 잠재력이 있는 기술로 꼽힌다.

삼성전자는 김 교수 연구팀의 3진법 반도체 연구를 2017년 9월부터 삼성미래기술육성사업 지정테마로 선정해 지원해왔다.

김 교수 연구팀은 현재 삼성전자 반도체 위탁생산을 담당하는 파운드리사업부의 공장에서 미세공정 기반의 3진법 반도체 구현 가능성을 검증하고 있다.

삼성전자는 국가 미래 과학기술 발전을 위한 삼성미래기술 육성사업에 2013년부터 지금까지 연구비 6826억 원을 지원했다. [비즈니스포스트 김용원 기자]