삼성전자와 SK하이닉스가 지난해 연구개발(R&D) 투자에 사상 최대 금액을 들인 것으로 나타났다.

이는 세계 반도체기업들 사이 기술 경쟁이 갈수록 치열해지고 있음을 단적으로 알려주는 것으로 볼 수 있다.
 

2일 삼성전자 사업보고서에 따르면 2018년에 삼성전자가 기술 연구개발에 투자한 금액은 18조7천억 원으로 집계됐다.

2017년 연구개발비로 사상 최대 규모인 16조8천억 원을 들였는데 이 기록을 갱신했다.

삼성전자는 "연구개발을 통해 등록한 기술 특허는 대부분 스마트폰과 스마트TV, 메모리반도체와 시스템반도체에 관련된 것"이라며 "향후 전략사업과 제품에 활용될 것"이라고 밝혔다.

삼성전자의 연구개발 투자는 실적에서 가장 큰 비중을 차지하는 메모리반도체 관련된 공정기술 개발에 가장 많이 사용됐을 가능성이 높다.

삼성전자는 지난해 90단 이상의 5세대 3D낸드와 3세대 10나노급(1z) D램 미세공정, 12기가 모바일 D램 등 메모리반도체 핵심 기술을 세계 최초로 개발하는 성과를 냈다.

올해도 6세대 3D낸드와 DDR5규격 D램 등 차세대 메모리반도체 개발을 목표로 연구개발이 꾸준히 진행되고 있다.

지난해 연구개발 비용도 사상 최고치인 2조2840억 원에 이른 것으로 나타났다. 지난해 1조9754억 원보다 크게 늘었다.

SK하이닉스는 주로 HBM2 규격 D램과 72단 3D낸드 기반 SSD, 96단 3D낸드 기술 등을 개발하는 과제에 연구개발 비용이 쓰였다고 밝혔다.

삼성전자와 SK하이닉스를 포함한 글로벌 반도체기업의 기술 경쟁이 갈수록 치열해지면서 연구개발 투자도 일제히 증가하고 있는 것으로 분석된다.

삼성전자의 지난해 매출 대비 연구개발 비용이 차지한 비중은 7.7%, SK하이닉스의 연구개발비 비중은 7.2%로 나타났다. [비즈니스포스트 김용원 기자]