삼성전자가 D램의 생산원가를 절감하고 전력효율 등 성능도 높일 수 있는 3세대 10나노급(1z) 미세공정 D램 개발에 성공했다.

삼성전자는 세계 최초로 8기가비트 용량의 3세대 10나노급 D램을 개발했다고 21일 밝혔다.
 

3세대 10나노급 D램은 삼성전자의 현재 주력 공정인 2세대 10나노급(1y) D램과 비교해 생산성이 20% 이상 높아지고 전력효율도 개선됐다.

삼성전자는 2세대 10나노급 D램 양산을 시작한 지 약 16개월만에 새 공정 개발에 성공했다.

3세대 10나노급 D램의 양산은 올해 하반기부터 본격적으로 시작된다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 혁신적 D램 기술 개발로 프리미엄 메모리시장의 빠른 성장에 기여하겠다"고 말했다.

김기남 삼성전자 DS부문 대표이사 부회장은 20일 주주총회에서 3세대 10나노급 D램을 포함한 차세대 공정기술 개발에 속도를 내겠다는 계획을 밝혔다.

반도체 경쟁사와 압도적 기술 격차를 유지해 차별화된 실적을 내는 전략을 더욱 강화하겠다는 것이다.

삼성전자 관계자는 "평택 반도체공장에서 D램 미세공정의 비중을 꾸준히 확대하고 있다"며 "반도체사업에서 초격차사업 경쟁력을 강화할 것"이라고 말했다.

삼성전자는 3세대 10나노급 D램 양산에 이어 내년부터 반도체 성능과 용량을 더 높일 수 있는 DDR5 규격의 D램 양산도 본격화해 기술 주도권을 더욱 굳히겠다는 계획을 내놓았다. [비즈니스포스트 김용원 기자]