SK하이닉스가 기존 공정보다 D램의 생산성과 전력 효율을 높일 수 있는 새 미세공정 기술 개발에 성공했다.

SK하이닉스는 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 DDR4규격 D램을 개발했다고 12일 밝혔다.
 

기존 1세대 10나노급 D램과 비교해 생산성은 최대 20%, 전력효율은 15% 개선됐고 데이터 전송속도도 더 빨라졌다.

김석 SK하이닉스 D램마케팅담당 상무는 "이번에 개발을 완료한 2세대 10나노급 D램은 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품"이라며 "내년 1분기부터 공급을 시작하겠다"고 말했다.

SK하이닉스는 10나노급 2세대 미세공정의 기술 한계를 극복하고 오류 발생 가능성을 낮추기 위해 독자적 기술을 적용한 센스앰프를 탑재했다.

센스앰프는 메모리반도체에서 전송하는 데이터를 증폭해 외부로 전달하는 역할을 하는 부품이다.

SK하이닉스는 반도체공정이 미세해질수록 데이터 전송 오류가 잦아지는 문제를 해결하기 위해 성능을 강화한 센스앰프를 탑재하고 불필요한 전력 소모를 줄이는 새 기술도 적용했다.

데이터 전송속도를 높일 수 있는 '4Phase' 클로킹 기술도 탑재됐다. 기존 2Phase 기술보다 데이터가 오가는 통로를 2배로 넓혀 더 원활한 데이터 전송을 돕는 기술이다.

SK하이닉스는 2세대 10나노급 공정 기반 D램을 PC와 서버 분야에 먼저 적용한 뒤 모바일을 포함한 여러 분야로 확대할 계획을 세우고 있다. [비즈니스포스트 김용원 기자]