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SK하이닉스 올해도 10조 시설투자, 낸드플래시 공격적 증설

김용원 기자 one@businesspost.co.kr
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SK하이닉스가 올해도 D램과 낸드플래시 등 메모리반도체에 10조 원이 넘는 대규모 투자를 한다.

이명영 SK하이닉스 경영지원담당 부사장은 25일 컨퍼런스콜을 통해 지난해 실적과 올해 사업전망 및 투자계획을 발표했다.
 
SK하이닉스 올해도 10조 시설투자, 낸드플래시 공격적 증설
▲ 박성욱 SK하이닉스 부회장.

이 부사장은 “올해 사상 최대 메모리반도체 호황을 맞을 것이라는 전망과 공급과잉이 벌어질 수 있다는 우려가 교차하고 있다”며 “시설 투자와 기술 개발에 모두 집중해 지속성장을 추진할 것”이라고 말했다.

SK하이닉스는 지난해 연결기준으로 매출 30조1천억 원, 영업이익 13조7천억 원을 냈다. 반도체 호황기를 맞아 매출이 연간 75%, 영업이익이 319%의 상승폭을 보이며 사상 최대 실적을 보였다.

이 부사장은 올해도 D램과 낸드플래시 수요 증가세가 이어질 것이라고 자신하며 시설 투자를 지난해보다 늘려 대응할 계획을 내놓았다.

SK하이닉스는 지난해 반도체 시설 투자에만 10조3천억 원 정도를 들인 것으로 집계됐다. 올해도 10조 원을 넘는 역대 최대 규모의 시설투자가 벌어질 가능성이 높다.

이 부사장은 중국 우시 D램공장을 증설하는 것과 올해 연말 완공이 예정됐던 충북 청주 신규공장의 가동을 계획보다 2~3개월 정도 앞당기는 데 대부분의 투자금이 사용될 수 있다고 밝혔다.

올해 SK하이닉스의 D램 출하량 증가율은 시장 수요성장률 전망과 비슷한 20% 정도, 낸드플래시 증가율은 시장성장률을 웃도는 40% 중반대에 이를 것으로 계획됐다.

낸드플래시 매출비중을 높이기 위한 공격적 증설을 예고한 셈이다.

이 부사장은 “올해 서버용D램과 SSD 저장장치, 차세대 HBM규격 D램 등 성장전망이 밝은 제품의 출하량을 확대하겠다”며 “시장의 수요에 적극적으로 대응할 것”이라고 말했다. [비즈니스포스트 김용원 기자]

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