삼성전자가 이전보다 반도체 생산효율과 성능을 끌어올릴 수 있는 10나노급 2세대 미세공정 신기술을 적용한 D램 양산을 시작한다.

삼성전자는 전 세계 최초로 10나노급 2세대 공정 기반의 8기가비트 D램 양산에 성공했다고 20일 밝혔다.
 

새 공정을 적용한 반도체는 이론적으로 기존 10나노급 1세대 공정보다 생산성은 최대 30%, 처리속도는 10%, 전력효율은 15% 높일 수 있다.

진교영 삼성전자 메모리사업부 사장은 “혁신적 기술개발로 반도체 미세화의 한계를 돌파했다”며 “신규공정 적용을 확대해 프리미엄 D램 시장에서 지배력을 강화할 것”이라고 말했다.

반도체는 공정이 미세해질수록 기술이 까다롭고 복잡해져 발전이 어렵다.

삼성전자는 이런 어려움을 극복하기 위해 회로 설계부터 공정변화까지 이르는 3가지의 신규 공정과정을 도입해 기술개발에 성공했다고 밝혔다.

향후 삼성전자는 대부분의 D램 생산라인을 10나노급으로 전환해 생산성을 끌어올리며 고성능 D램 수요증가에 적극 대응하기로 했다.

서버용 D램과 차세대 메모리인 HBM D램 등에도 최신 공정기술을 적용한다.

삼성전자 관계자는 “글로벌 주요 고객사와 협력해 10나노 2세대 D램 신제품을 적용한 차세대 시스템 개발협력도 추진하고 있다”며 “프리미엄 메모리시장을 선점할 것”이라고 말했다. [비즈니스포스트 김용원 기자]