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SK하이닉스 "인프라 투자 증가, 1c 공정이 내년 말 국내 D램 생산의 절반"

나병현 기자 naforce@businesspost.co.kr
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[비즈니스포스트] SK하이닉스는 29일 '2025년 3분기 실적발표 콘퍼런스콜'에서 "인프라 투자 규모는 내년에 지속 증가할 것으로 예상한다"며 "글로벌 기업들이 인공지능(AI) 투자를 경쟁적으로 확대하면서 고대역폭메모리(HBM), DDR5, 엔터프라이즈 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 수요가 빠르게 증가하고 있어, 설비투자(CAPEX) 증가는 불가피하다"고 밝혔다.

회사 측은 "M15X는 본격적으로 장비를 반입해 HBM 생산을 확대할 것"이라며 "일반 D램과 낸드는 기존 공장의 선단공정 전환을 가속화해서 대응할 예정"이라고 설명했다.
 
SK하이닉스 "인프라 투자 증가, 1c 공정이 내년 말 국내 D램 생산의 절반"
▲ SK하이닉스는 29일 '2025년 3분기 실적발표 콘퍼런스콜'에서 "인프라 투자 규모는 내년에 지속 증가할 것으로 예상한다"고 밝혔다. < SK하이닉스 >

이어 "10나노급 6세대(1c) 공정은 이미 안정적으로 양산 중이며 램프업(공장 생산량을 끌어올리는 단계)을 통해 내년 말에는 국내 D램 생산 능력의 절반을 1c D램이 차지하게 될 것"이라고 말했다.

또 "낸드에서는 내년 제품의 절반 이상을 321단 제품으로 전환할 수 있도록 준비하고 있다"고 덧붙였다. 나병현 기자

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