[비즈니스포스트] SK하이닉스가 내년 6세대 고대역폭메모리(HBM4)에서도 엔비디아의 최대 공급사로 자리잡을 것이란 전망이 나왔다.

HBM4에서 앞선 D램 공정과 첨단 4나노 파운드리(반도체 위탁생산) 공정을 활용하는 삼성전자는 엔비디아가 요구하는 높은 속도에서 우위를 점할 것으로 분석됐다.
 

대만 시장조사업체 트렌드포스는 18일 SK하이닉스가 HBM4 초기 양산 단계에서 최대 공급업체로서의 선두 자리를 유지할 것으로 전망했다. 

트렌드포스 측은 “2026년 엔비디아의 HBM4 공급 점유율 전망을 살펴보면, 2024~2025년의 탄탄한 파트너십과 기술 성숙도, 신뢰성, 그리고 생산 규모를 고려할 때, SK하이닉스가 내년에도 여전히 지배적 공급업체 자리를 유지할 것”이라고 내다봤다.

엔비디아는 AMD가 내년 출시할 ‘MI450 헬리오스’와 성능 격차를 벌리기 위해 HBM4의 핀당 속도를 10Gbps(초당 기가비트)로 상향해 줄 것을 메모리반도체 업체에 요청했다.

삼성전자는 HBM4의 핵심인 ‘로직다이’ 제작에 4나노 첨단 공정을 활용해 엔비디아의 성능 요구사항을 충족할 것으로 보인다. 

트렌드포스는 “(삼성전자 HBM4) 전송속도는 10Gbps에 도달할 것으로 예상되며, 10Gbps 속도의 제품 생산 점유율은 SK하이닉스와 마이크론을 앞지를 것”이라고 예상했다. 

마이크론은 로직다이 생산에 자체 D램 공정을 활용해 속도 기준을 맞추는 데 난항을 겪고 있는 것으로 알려졌다. 로직다이는 HBM과 그래픽처리장치(GPU)를 연결하는 기능을 맡고 있어, HBM 속도에 직접적 영향을 미친다.

엔비디아는 HBM4 성능 향상을 넘어 공급량 확보에 주력하고 있다.

또 물량이 부족하거나 전력 소비량 또는 비용이 과도하게 증가할 경우, 엔비디아는 HBM4 성능 기준을 내리거나 제품을 세분화할 것으로 예상된다.

메모리 공급업체별로 다른 등급의 제품을 할당할 수 있다는 관측이다. 김호현 기자