[비즈니스포스트] 삼성전자가 D램의 1b 나노 공정 전환을 추진하고 메모리 반도체의 선단 공정 투자를 강화하겠다고 밝혔다.

인공지능(AI)용 메모리 수요 증가 등으로 메모리사업부는 올해 2분기부터 수요가 크게 회복될 것으로 예상했다.
 

삼성전자는 31일 오전 지난해 4분기 실적 관련 콘퍼런스 콜을 진행했다.

올해 1분기는 반도체 부문의 약세가 지속돼 전사 실적 개선은 제한적일 것으로 예상했지만, 2분기부터 메모리사업부 회복을 전망했다.

올해 AI 시장 내 기술과 제품 경쟁력 강화를 추진해 미래 고부가 제품 수요를 대응하고 HBM 등 프리미엄 제품 판매를 지속할 계획이라고 삼성전자 측은 설명했다.

지난해 메모리사업부는 고대역폭메모리(HBM) 등 선단 공정 생산능력 확대를 위한 투자에 따라 분기와 연간 투자액이 모두 증가했다고 회사 측은 밝혔다.

삼성전자의 반도체를 담당하는 DS부문은 지난해 총 46조3천억 원의 시설투자를 집행했다.

삼성전자 전체로는 지난해 4분기에 전분기보다 5조4천억 원 증가한 17조8천억 원의 시설투자를 집행했는데, 그 가운데 16조 원이 DS 부문에서 이뤄졌다.

올해도 지난해와 비슷한 수준의 메모리 반도체 투자가 이뤄질 것으로 예상했다.

김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "지난해 PC 등 IT 제품 재고 조정 영향을 받았지만, 빅테크 기업들의 AI용 HBM 수요 증가가 이어졌다"고 말했다.

김 부사장은 "올해 1분기에도 재고조정 영향이 이어질 것이지만, 2분기부터 메모리 수요가 회복되며 실적에 긍정적 영향을 미칠 것"이라고 예상했다.

이어 그는 1b 나노 D램 전환을 가속해 기술 경쟁력을 끌어 올리겠다고 밝혔다. 

다만 낸드의 경우 업계의 보수적 전망과 감산 기조 확산으로 하반기부터 회사에 영향을 미칠 것으로 전망했다. 

이어 선단 공정 기반 HBM, DDR5, LPDDR5X, GDDR7 등 고부가 제품 판매를 확대할 것이라고 밝혔다. 김호현 기자