[비즈니스포스트] 삼성전자가 반도체 업계 최초로 '9세대 V낸드플래시' 양산을 시작했다.

삼성전자는 더블스택 구조로 구현 가능한 최고 단수의 V낸드를 생산하기 시작했다고 23일 밝혔다.

회사는 업계 최소 크기 셀, 최소 몰드 두께를 구현해 '1테라비트(Tb) TLC(트리플 레벨 셀) 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 늘렸다고 설명했다. 비트 밀도란 단위 면적당 저장되는 비트 수를 말한다.

‘더미 채널 홀’ 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였고, 셀 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했다고 덧붙였다.

삼성전자의 '9세대 V낸드'는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로, '채널 홀 에칭' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성도 향상됐다. 이 제품은 290단 가량의 적층 구조를 가진 것으로 전해졌다.

채널 홀 에칭이란 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히, 적층 단수가 높아져 한 번에 많이 뚫을수록 생산효율도 증가하기 때문에 정교화·고도화가 요구된다.

9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 '토클(Toggle) 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 솔리드스테이트드라이브(SSD) 시장을 확대한다.

또 9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 탑재, 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐다. 

허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했다.

삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(쿼드 레벨 셀) 9세대 V낸드' 양산에도 들어간다. 나병현 기자