[비즈니스포스트] 삼성전자의 3나노 미세공정 반도체 파운드리 기술이 TSMC를 강력하게 위협할 수 있다는 대만언론의 평가가 나왔다.

TSMC가 하반기에 선보이며 주력 공정으로 활용하게 될 3나노 2세대(N3E) 기술 기반 반도체의 성능 개선폭이 삼성전자에 뒤처질 가능성이 거론되기 때문이다.

대만 경제일보는 10일 “삼성전자가 올해 3나노 2세대 반도체 공정 상용화를 계획하고 있다”며 “전문가들은 해당 공정의 성능이 TSMC에 위기감을 더할 수 있다고 바라보고 있다”고 보도했다.

삼성전자가 6월 일본 반도체 기술 심포지엄에서 발표할 내용 가운데 3나노 2세대 공정의 성능이 4나노와 비교해 20% 이상 높아질 것이라는 수치가 포함될 것이라는 국내언론 보도가 나온 데 따른 것이다.

하반기 상용화가 예정된 3나노 2세대 공정은 지난해 양산을 시작한 3나노 초기 공정과 비교해 반도체 성능과 전력효율 등을 모두 높일 수 있는 기술이다.

삼성전자와 TSMC 모두 3나노 2세대 공정에 시설 투자를 집중해 이를 고객사 반도체 생산에 주력 공정으로 활용하겠다는 계획을 두고 있다.

최근 밝혀진 삼성전자의 발표 내용에 따르면 해당 기술은 4나노 공정보다 성능은 이론상 22%, 전력효율은 34%까지 높아지는 사양을 구현할 수 있다.

TSMC가 최근 공개한 3나노 2세대 기술의 성능 개선폭은 5나노와 비교해 성능은 18%, 전력효율은 32% 개선되는 수준이다.

4나노 공정보다 한 세대 이전인 5나노 공정과 비교했음에도 예상되는 성능 향상 수준이 삼성전자를 밑돌고 있는 셈이다.

경제일보는 삼성전자가 처음으로 차세대 반도체 미세공정의 기술 사양을 4나노 공정과 비교해 제시했다는 데 중요한 의미가 있다고 바라봤다.

그만큼 새로 도입하는 공정기술에 자신감을 두고 있다는 의미기 때문이다.

경제일보는 삼성전자가 TSMC에 지지 않겠다는 마음가짐을 두고 꾸준한 기술 발전에 성과를 내 왔다며 전문가들이 두 기업의 반도체 성능 발전에 촉각을 기울이게 될 것이라고 전했다.

TSMC는 현재 약 2개월에 걸친 글로벌 기술 심포지엄을 개최하고 북미와 유럽, 중국과 일본 등 여러 지역에서 파운드리 공정 기술력을 고객사들에 홍보하는 행사를 진행하고 있다.

11일 열리는 대만 심포지엄에서 삼성전자를 의식해 TSMC가 3나노 2세대 공정의 기술 경쟁력과 관련한 추가 발표를 내놓을 가능성도 거론된다. 김용원 기자