[비즈니스포스트] “평택캠퍼스 3라인에 들어가는 철근의 양이 에펠탑 몇 개분일까요? 29개입니다.”

경계현 삼성전자 DS부문장 겸 대표이사 사장은 7일 삼성전자 평택캠퍼스에서 열린 기자간담회에서 평택캠퍼스 3라인의 규모를 이렇게 설명했다.

삼성전자는 2020년 말부터 기초공사에 들어간 평택 3라인에 지난 7월부터 낸드플래시 양산 시설을 구축하고 웨이퍼 투입을 시작했다.

삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장점유율 1위에 등극한 뒤 20년 동안 한번도 1위 자리를 내주지 않을 만큼 독보적인 경쟁력을 유지해오고 있다. 이번 평택 3라인 낸드플래시 양산은 삼성전자의 시장지배력이 더욱 강화되는 계기가 될 것으로 예상된다.

평택 3라인은 향후 D램과 파운드리(반도체 위탁생산) 시설까지 모두 들어가게 된다. 평택 3라인은 연면적 30만 평(약 99만㎡)으로 1라인(23만5천 평), 2라인(25만1천 평)보다도 크다. 

2015년부터 조성된 평택캠퍼스는 289만㎡(약 87만 평)의 부지를 가진 삼성전자의 차세대 반도체 전초 기지로 삼성전자는 경기도 용인, 화성, 평택과 충청도 아산을 잇는 최첨단 실리콘 클러스터를 구축하고 있다.

2030년까지 창출될 생산 유발 효과는 550조 원 이상, 고용 유발 효과는 130만 명 이상으로 예상되고 있다.

경계현 사장은 올해 하반기에 이어 2023년까지 반도체 업황이 좋지 않을 수 있다고 보면서도 지금의 투자가 다시 호황기가 찾아왔을 때 힘이 될 것이라고 전망했다.

경 사장은 “항상 보면 안 좋은 위기는 좋은 기회가 될 수 있다”며 “안 좋을 때 더 성장할 수 있는 방법은 시장점유율을 늘리거나 어느 부분을 독점한다는 등 여러 방법이 있다. 안 좋은 구간이 지났을 때 삼성전자의 위치가 지금보다 더 나아지는 방향으로 갈 수 있는 기회로 삼도록 하겠다”고 말했다.

삼성전자는 평택 3라인 가동뿐만 아니라 미래 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 4라인 착공을 위한 준비작업도 착수했다.

평택 4라인의 구체적인 착공시기와 적용 제품이 정해지지 않았지만 삼성전자는 향후 반도체 시장의 수요 변화에 발 빠르게 대응할 수 있도록 기초공사를 진행하고 있다.

여기에 현재 가동 중인 3개 라인 외에 추가로 3개의 대형 반도체 생산시설이 들어올 수 있어 대한민국이 반도체 강국으로 거듭나는데 핵심 전초기지 역할을 수행할 것으로 기대된다.

이와 같은 캐파(생산능력) 확대는 중국 메모리업체 등 경쟁사가 쉽게 시장점유율을 확대할 수 없는 요인이다.

경 사장은 “삼성전자의 메모리반도체가 어떤 회사보다 적어도 한 세대 이상 앞서있다면 기본 비용에서 10% 이상 차이가 나고 가격을 10% 이상 올릴 수 있으니 20% 이상 경쟁사들과 격차를 벌리게 된다”며 “그게 삼성전자가 그동안 메모리에서 성공했던 방식이고 앞으로도 이렇게 해나갈 것”이라고 말했다.

그는 “평택캠퍼스는 업계 최선단의 14나노 D램과 초고용량 V낸드, 5나노 이하의 첨단 시스템반도체가 모두 생산되는 첨단 반도체 복합 생산단지로 성장하고 있다”며 “반도체 생산은 물론 친환경 사업장 구축, 지역사회, 협력사 등과 다양한 상생활동을 통해 우리나라 반도체 생태계의 중심지로 거듭날 것”이라고 덧붙였다. 나병현 기자